CXMT “7조원 실탄으로 공격투자”…‘중국판 나스닥’ 상장 재시동

이르면 올 상반기 상장절차 완료
생산라인 증설·HBM 양산에 투입
美규제 대비 공정수율도 개선할듯

CXMT 차세대 D램. 사진제공=CXMT

중국 최대 메모리 반도체 업체 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 기업공개(IPO)로 6조 원이 넘는 실탄을 확보해 D램 생산 라인 증설과 고대역폭메모리(HBM) 양산에 전면 투입한다. 창신메모리가 ‘중국판 나스닥’으로 불리는 과학기술혁신판(커촹반)에 상장하며 3000억 위안(약 60조 원)의 기업가치를 달성하면 중국 최대 파운드리 기업인 중신궈지(SMIC)에 이은 시총 2위 기업이 된다.

19일 중국 매체 커촹반일보·홍성신문 등에 따르면 상하이증권거래소는 창신메모리의 IPO 심사 상태를 ‘중지’에서 ‘재개’로 변경할 것으로 전망된다. 지난달 초 상하이증권거래소는 IPO 증권신고서상 재무 자료의 유효기간 만료를 사유로 상장심사를 중단했지만 창신메모리가 서류를 보완한 것으로 보인다. 업계에서는 이르면 올 상반기 내에 상장절차를 완료할 것으로 예상하고 있다.

창신메모리가 상장하려는 커촹반은 2019년 상하이증권거래소에 개설된 첨단 기술 기업 전용 시장이다. 조달 금액은 최소 295억 위안(약 6조 5300억 원)이며 기업가치는 최대 3000억 위안을 목표로 한다. 커촹반은 원칙적으로 중국 내국인 투자자를 대상으로 하는 한계가 있지만 혁신기업이 몰려 있어 외국인에게 개방된 홍콩 항셍테크지수보다 상승세다. 업계에서는 창신메모리가 기존 자체 자금과 IPO 조달분을 합치면 최소 7조 원의 실탄을 확보할 것으로 전망했다.

창신메모리는 먼저 대규모 생산 라인을 증설하고 기존 라인을 업그레이드하는 데 자금을 투자할 것으로 보인다. 현재 베이징과 안후이성 허페이에 12인치 D램 웨이퍼 생산 라인을 두고 월 20만~29만 장을 찍어내고 있다. 이를 올해 말 월 30만 장, 이후 40만 장까지 끌어올려 한국 업체를 겨냥한 물량 공세에 나선다.

창신메모리는 기존 범용 D램을 넘어 ‘DDR5’ ‘LPDDR6’ 등 차세대 D램 기술 업그레이드와 연구개발(R&D)에 자금을 쏟을 예정이다. 특히 SK하이닉스·삼성전자가 사실상 양분하고 있는 HBM 시장 진입을 위해 양산 라인을 구축하는 데 실탄을 투입할 것으로 보인다. 중국 내 인공지능(AI)칩 설계 기업들에 ‘HBM3’ 샘플을 제공해 테스트를 진행 중이며 자금 확보 시 연말 상하이를 중심으로 HBM 대량 생산 체제로 전환할 것으로 전망된다. 또한 미국의 대중국 반도체 수출통제로 첨단 장비 도입이 막힌 만큼 패키징·적층 공정 수율(결함 없는 합격품 비율) 개선에도 자금을 쓸 계획이다.

박시진 기자 see1205@sedaily.com