DB하이텍, 전력반도체 매출 비중 70% 안착···GaN·SiC 양산은 지연

산업·차량용 반도체 수요 증가로 고전압 BCD 매출 확대
파운드리 풀가동 지속···DB하이텍, 5년간 2兆 투자 계획
실리콘 캐패시터·화합물 전력반도체 신사업은 일부 지연

하이텍 부천캠퍼스 전경 / 사진=DB하이텍

[시사저널e=고명훈 기자] 8인치 파운드리 기업 DB하이텍의 전력반도체 매출 비중이 수요 강세에 힘입어 전체 70%까지 오른 것으로 파악된다. 산업·차량용 등 고부가 응용처 비중이 확대되면서 실적 개선 흐름으로 이어지는 모습이다.

반도체업계에 따르면 DB하이텍은 올 1분기 매출에서 전력반도체 비중이 전분기(68%) 대비 2%p 늘어나며 70%에 진입했다고 밝혔다. 전년 동기(64%) 대비해선 6%p 오른 수치다.

DB하이텍의 전력반도체 사업은 BCD 공정 기술을 주력으로 한다. BCD는 아날로그 제어(Bipolar), 디지털 로직(CMOS), 고전압 전력(DMOS) 소자를 하나의 칩에 통합하는 전력반도체 제조 기술이다. DB하이텍은 고전압 BCD에서 강점을 드러내며 국내외 약 400여개 고객사를 대상으로 파운드리 서비스를 제공하고 있다.

BCD 매출 비중 확대에 따라 나머지 디스플레이구동칩(DDI), 혼합신호반도체(MS) 등 제품의 1분기 매출 비중은 각각 전년 동기 대비 4%p, 2%p 감소한 11%, 8% 등으로 집계됐다.

응용 분야별로는 산업용과 차량용 부문 매출 비중이 각각 18%와 12%를 차지하며 전년 동기 대비 6%p, 2%p 등 크게 확대됐다. 같은 기간 소비자용 부문은 8%p 감소한 48%를 차지했다.

최근 인공지능(AI) 인프라 확대로 데이터센터 전력 소모가 급증하고 전기차 및 자율주행 기술 고도화, 공장 자동화 등으로 인한 산업용 고전압 제품 수요 확대가 맞물리면서 BCD 전력반도체 매출 증가를 견인한 것으로 분석된다. 실제 올 1분기 DB하이텍의 파운드리 공장 가동률은 비수기임에도 98% 이상을 유지한 것으로 나타났다. 작년부터 사실상 풀가동 상태가 이어지는 셈이다.

글로벌 시장에서 전력반도체 수요는 늘어나는 반면, 캐파(생산능력) 확대는 제한되는 흐름이어서 당분간 8인치 가격 상승 추세가 이어질 것으로 전망된다. 파운드리 선두업체인 삼성전자·TSMC가 8인치 파운드리 공급을 축소하고 있기 때문이다.

시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 글로벌 8인치 캐파는 전년 대비 2.4% 축소될 것으로 예상된다. 이에 따라 평균판매단가(ASP)는 5~20% 인상이 점쳐진다.

DB하이텍은 산업·차량용 등 고부가 제품 비중을 지속 확대해 수익성을 높이겠단 전략이다. 8인치 파운드리 고도화를 위해 향후 5년간 약 2조원의 투자를 계획하고 있다고 전했다.

DB하이텍 관계자는 "향후 전력반도체 중심의 제품 포트폴리오를 강화하고, 해외 고객 기반 확대와 차세대 전력반도체 개발 및 양산에 역량을 집중해 지속적인 성장을 이어갈 계획"이라고 말했다.

DB하이텍이 신규사업으로 지목한 실리콘 캐패시터를 비롯해, 질화갈륨(GaN)·실리콘 카바이드(SiC) 등 화합물 전력반도체 양산 일정은 일부 지연된 것으로 파악된다. 실리콘 캐패시터의 경우 당초 올 2~3분기 양산을 본격화할 계획이었지만, 3분기로 지연됐다. GaN과 SiC는 초도 물량 생산 시점을 각각 올 4분기로 잡았었는데, 내년 1분기로 시점을 조정했다.

한편, DB하이텍은 최근 기업가치 제고계획을 공시하며 기존 보유 자사주에 대한 추가 소각 계획을 발표했다. 기존 보유 자사주 중 1.4%에 해당하는 59만 2000주를 올해 안에 추가 소각한단 계획이다. 이와 함께 주주환원율 30%, 배당성향 20%, TSR(총주주수익률) 25% 이상 등 계획도 유지하기로 했다.