[단독] 삼성 파운드리, AMD 수주로 부활

테일러 2공장 이달 본격 착공, HBM 베이스다이 생산
첨단 2나노 공정…테슬라 이어 美 빅테크 수주 확대

삼성전자가 이달 착공에 들어가는 미국 텍사스주 테일러 파운드리(시스템반도체 위탁생산) 2공장에서 AMD와 엔비디아에 공급할 고대역폭메모리(HBM)용 베이스다이를 생산한다. 테일러 1공장의 테슬라 물량에 이어 미국 빅테크발 수주를 잇달아 확보하며 미국 파운드리 사업에 속도가 붙고 있다.

3일 업계에 따르면 삼성전자는 테일러 2공장의 생산물량 전량을 AMD와 엔비디아에 공급할 HBM용 베이스다이로 수주했다. 베이스다이의 설계·제조 기술이 HBM 속도와 전력 효율을 좌우하는 핵심 경쟁력으로 자리 잡으면서 차세대 HBM에서는 베이스다이를 따로 주문하는 기업이 늘어나는 추세다.

삼성전자는 테일러 2공장에 첨단 2나노미터(㎚·10억분의 1m) 공정을 적용할 예정이다. 공장 면적은 기존 1공장보다 약 1.5배 큰 270만제곱피트(약 25만㎡)다.

2공장은 이미 터 다지기 등 기초작업에 들어갔으며 이달 초 본격 착공한다. 2029년 2월부터 설비를 반입해 2030년 양산에 들어가는 일정이다. 파운드리는 위탁생산 특성상 고객이 발주한 제품에 맞춰 공정을 정하고 이에 필요한 생산설비를 구축한다. 고객 물량 확보가 실제 투자 집행을 결정하는 핵심인 셈이다. 삼성전자가 지난 7월 밝힌 연내 착공 계획이 이달로 구체화한 것도 AMD·엔비디아의 대규모 물량 수주가 뒷받침된 것으로 풀이된다.

삼성전자는 이곳에서 만든 베이스다이를 국내에서 제조한 D램과 결합해 고객사에 HBM으로 납품할 예정이다. 현재 양산 중인 HBM4와 샘플을 공급한 HBM4E에는 4나노 베이스다이를 적용했지만, 2030년 양산에 들어갈 테일러 2공장에서는 차세대 HBM 수요에 맞춰 2나노 이하 선단공정의 베이스다이를 생산할 가능성이 크다.

현재 확보한 테일러 2공장 물량은 AMD에 공급할 베이스다이가 대부분으로, 이를 소화하기에도 생산능력이 빠듯하다는 게 관계자들의 전언이다. 삼성은 TSMC 생산능력이 차세대 맞춤형 HBM인 'NVHBM' 수요에 못 미칠 경우에 대비해 자체 파운드리 공정에서도 NVHBM 베이스다이를 생산할 수 있는지 검증 중인 것으로 알려졌다.

다만 엔비디아가 삼성전자를 포함한 메모리 3사에 NVHBM 베이스다이를 TSMC에 위탁생산하도록 요구한 점은 변수다.

엔비디아는 공급사별 성능 차이와 검증 부담을 줄이기 위해 베이스다이 제조 공정을 TSMC로 일원화하려는 것으로 전해졌다. 엔비디아가 여러 세대의 그래픽처리장치(GPU)를 동시에 공급하는 만큼 전환 과정에서 표준형 HBM과 NVHBM이 병행될 수 있지만, 향후 NVHBM 적용이 확대되면 삼성 파운드리의 추가 수주에는 제약이 생길 수 있다.

삼성전자 관계자는 "고객 관련 내용은 확인이 어렵다"고 말했다.

[한지연 기자 / 이덕주 기자]