삼성전자, 올해 반도체에 76.8조 투자… “2028년까지 메모리 공급 부족 전망”

메모리 신규 팹·美 테일러 파운드리 중심 투자 확대
DS부문 투자 전년比 29.3조 증가… 전체 시설투자의 91%

삼성전자가 올해 반도체 사업에 76조8000억원을 투자한다. 인공지능(AI) 반도체 수요 급증에 대응해 신규 메모리 생산시설과 미국 파운드리 공장에 투자를 집중한다. 다만 신규 설비가 실제 생산량 증가로 이어지기까지 상당한 시간이 걸리는 만큼 2028년까지 메모리 공급 부족이 지속될 것으로 전망했다.

삼성전자는 29일 올해 3분기 실적 컨퍼런스콜에서 올해 연간 시설투자 규모를 84조4000억원으로 제시했다. 이 가운데 반도체(DS) 부문 투자액은 76조8000억원으로 전체의 약 91%를 차지한다. 전년 대비 29조3000억원 증가한 규모다. 디스플레이 부문에는 3조9000억원을 투자한다.

삼성전자 반도체 팹(공장) 내부./삼성전자 제공

메모리 부문은 AI 수요 증가와 중장기 공급 확대에 대응하기 위해 신규 팹과 클린룸 등 생산 인프라를 확충한다. 파운드리 부문은 미국 텍사스주 테일러 공장을 중심으로 2나노·4나노 첨단공정 생산능력을 확대하고, 첨단 패키징 투자도 병행한다. 다만 메모리와 파운드리의 구체적인 투자 비중은 공개하지 않았다.

테일러 공장은 클린룸 가동과 설비 반입을 완료하고 웨이퍼 투입을 위한 생산라인 구축 작업을 진행하고 있다. 삼성전자는 AI·고성능컴퓨팅(HPC) 고객 수요에 대응하기 위해 추가 팹 건설과 생산능력 확대 방안도 검토 중이다. 내년에는 테일러 공장과 2나노 AI·HPC 반도체 양산을 본격화할 계획이다.

다만 대규모 투자가 단기간에 공급 증가로 이어지기는 어렵다는 설명이다. 삼성전자는 컨퍼런스콜에서 2027년 설비투자(CAPEX)가 크게 증가하더라도 공장 건설 비용 상승과 반도체 장비 확보에 필요한 기간이 길어지면서 2028년 생산량 확대에는 한계가 있다고 밝혔다.

특히 고대역폭메모리(HBM) 생산 확대도 범용 D램 공급 증가를 제약하는 요인으로 꼽았다. HBM4E(7세대 HBM)와 차세대 HBM5(8세대 HBM)는 다이 크기가 커지고 공정 단계가 늘어나면서 기존 D램보다 더 많은 생산능력을 필요로 한다. HBM 생산 비중이 높아질수록 동일한 웨이퍼 투입량으로 생산할 수 있는 메모리 비트 수가 줄어드는 구조다.

삼성전자는 AI 인프라 구축 경쟁과 퍼스널 AI 에이전트 서비스 확산으로 메모리 수요가 공급을 크게 웃돌 것으로 예상했다. 신규 팹 건설과 장비 도입에 시간이 필요한 만큼 2027년에 이어 2028년에도 빠듯한 수급 상황이 지속될 것으로 내다봤다.

이에 삼성전자는 선제적으로 클린룸 등 생산 인프라를 확보하되, 실제 장비 도입은 고객 수요와 시장 상황에 맞춰 탄력적으로 집행할 계획이다. 급증하는 AI 반도체 수요에 대응하면서도 중장기 공급 변화에 따른 투자 위험을 최소화한다는 방침이다.

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