‘분기 매출 100조’ 찍은 SK하이닉스…60조 추가 주주환원·美 낸드팹 박차

3분기 매출 105조·영업익 83조
삼성 이어 국내 두번째 신기록
영업익·이익률도 글로벌 최상위
주주환원 총 100조…배당 30조
“솔리다임 팹 60조 규모로 추진”

SK하이닉스 이천 캠퍼스. SK하이닉스

SK하이닉스(000660)가 올해 인공지능(AI) 메모리 호황에 힘입어 유례없는 성장을 거듭하며 분기 매출 100조 원 시대를 열었다. 회사는 고공행진하는 실적을 통해 확보한 막대한 현금 여력을 앞세워 60조 원 규모의 추가 주주환원과 함께 역시 비슷한 규모의 미국 첫 낸드플래시 팹(생산시설)을 포함한 인프라 투자도 서두른다. 이를 통해 주가와 시가총액을 글로벌 빅테크 수준으로 끌어올리고 공급 주도권을 강화해 중장기 경쟁력을 선제적으로 갖추겠다는 구상이다.

SK하이닉스는 올해 3분기 연결 기준 매출 104조 6155억 원, 영업이익 83조 3338억 원을 달성했다고 28일 밝혔다. 매출과 영업이익 모두 증권사들이 예상했던 컨센서스보다 8~9% 웃돌며 깜짝 실적을 기록했다.

매출은 특히 지난해 동기 대비 327.9%, 종전 역대 최대였던 전분기보다도 31.9% 성장하며 SK하이닉스 사상 처음으로 분기 100조 원을 넘어섰다. 국내 기업의 분기 매출이 100조 원을 넘어선 것은 삼성전자에 이어 두 번째다.

영업이익도 지난해 동기보다 632.1%, 전분기보다 37.6% 증가했다. 이 역시 SK하이닉스 자체 신기록을 넘어 글로벌 빅테크를 통틀어서도 3위 수준의 기록이다. SK하이닉스의 이번 영업이익은 최근 발표된 삼성전자(107조 4000억 원), 엔비디아(637억 달러·84조 6000억 원)에 이어 글로벌 빅테크 중 세 번째로 크다. 기존 3위는 애플(509억 달러·67조 6000억 원)이었다.

이에 영업이익률 역시 79.7%로 역대 최고를 찍었다. 마이크론(80.7%)에 이어 글로벌 빅테크 중 세계 2위다. 메모리 가격이 꾸준히 오르며 SK하이닉스의 영업이익률도 올해 1분기 72%, 2분기 76.3%에 이어 상승세가 이어지고 있다.

SK하이닉스가 연초 공언한 연내 순현금 100조 원 계획도 달성이 무난할 것으로 보인다. 올해 3분기 말까지 현금 및 현금성 자산, 단기금융상품을 포함한 현금 규모는 114조 5000억 원으로 한 분기 만에 26조 5000억 원 늘었다. 같은 기간 차입금은 오히려 줄며 순현금이 98조 7000억 원까지 올랐다.

SK하이닉스는 엔비디아 ‘베라 루빈’ 등에 쓰이는 고대역폭메모리(HBM)4 출하가 본격화하며 D램 실적이 크게 늘었다고 설명했다. 낸드에서도 321단 TLC eSSD 판매가 확대되며 데이터센터향 고부가가치 제품 전반이 성장세를 이어갔다.

시장조사업체 D램익스체인지에 따르면 올해 3분기 말 D램(DDR4 8Gb 1Gx8 2133MHz) 평균 가격은 26달러로 지난해 3분기 말 6.3달러의 4배를 웃돌았다. 전 분기 말 21달러와 비교해서도 23.8% 상승했다. 낸드(128Gb 16Gx8 MLC) 평균 가격도 30.61달러로 1년 만에 8배 수준으로 뛰었다.

빅테크의 메모리 수요가 꾸준히 몰리며 최장 5년간 고객을 묶어둘 수 있는 장기공급계약(LTA) 비중도 전체의 절반 이상으로 커졌다. SK하이닉스는 글로벌 대형 클라우드 서비스 제공업체(CSP)를 포함한 고객사 14곳과 LTA를 맺었고 통상 5년인 계약 기간을 더 늘리는 방안도 선제적으로 논의하고 있다.

SK하이닉스는 탄탄한 실적과 현금 여력을 바탕으로 주주환원과 미래 투자도 확대한다. 우선 이날 실적 발표와 함께 60조 원 규모의 추가 주주환원 방안을 발표했다. 현금배당에 30조 원, 자사주 매입·소각에 30조 원을 쓴다. 앞서 40조 원 규모의 자사주 매입·소각을 합쳐 올해 주주환원 규모는 총 100조 원으로 확정됐다.

이날 이사회에서는 3분기 현금배당 14조 원과 자사주 매입 20조 원을 결의했다. 매입할 자사주 가운데 주주환원 목적의 10조 원은 전량 소각할 계획이며, 나머지 약 10조 원은 임직원 보상용으로 주주환원 규모에는 포함되지 않는다. 3분기 배당금은 주당 2만 원으로, 실적 개선을 반영한 배당 1만 원과 키옥시아 투자 성과를 나누는 특별배당 1만 원으로 구성된다. 회사는 올해 키옥시아 투자로 실현한 수익의 대부분을 주주에게 돌려주기로 했다.

투자와 관련해서는 내년에는 용인 1기 팹이 본격 가동에 들어가는 등 국내외 인프라 투자가 활발해지면서 투자 규모가 올해보다 크게 늘어날 전망이다. 회사는 고객 수요와 제품 경쟁력, 수익성, 투자 효율성을 면밀히 따져 투자 규모와 시기를 탄력적으로 조절할 계획이다.

특히 미국에서는 이르면 내년 60조 원 규모로 현지 첫 솔리다임 낸드 팹 구축을 추진하는 것으로 알려졌다.

SK하이닉스는 “앞으로도 견조한 메모리 수요 성장과 기술 경쟁력을 바탕으로 안정적인 성과를 만들고, 이를 주주와 꾸준히 나누겠다”고 말했다.

김윤수 기자 sookim@sedaily.com이석진 기자 sj@sedaily.com