中 YMTC, 낸드 출하량 점유율 20% 목표…D램 양산도 추진

2분기 출하량 점유율 16.5%…장기 목표 20% 제시
연구개발에 142억위안 투자…차세대 LPDDR5 개발 확대

2026년 2분기 YMTC 낸드 점유율과 장기 목표. [출처=카운터포인트리서치]

중국 메모리 반도체 기업 양쯔메모리테크놀로지(YMTC)가 글로벌 낸드플래시 출하량 점유율 20% 달성을 목표로 연구개발과 생산능력 확대에 나섰다. 낸드에서 확보한 적층 기술을 D램으로 확장하며 메모리 사업 경쟁력도 높인다는 전략이다.

시장조사업체 카운터포인트리서치는 YMTC가 중국 상하이 과학기술혁신판(STAR Market) 상장을 신청한 가운데 연구개발 투자와 낸드 시장 점유율 확대를 추진하고 있다고 22일 밝혔다.

카운터포인트리서치에 따르면 YMTC의 올해 2분기 글로벌 낸드플래시 출하량 기준 점유율은 16.5%다. YMTC는 이를 장기적으로 20%까지 끌어올리겠다는 목표를 제시했다.

이를 위해 YMTC는 연구개발 투자를 확대하고 있다. 2023년부터 2025년까지 누적 연구개발(R&D) 투자액은 142억위안으로 매출의 5% 이상을 차지한다. 연구개발 인력은 4796명으로 전체 임직원의 30%를 넘으며, 등록된 발명특허는 5611건에 달한다.

기술 경쟁력의 기반은 독자 적층 기술인 엑스태킹(Xtacking)이다. 메모리 셀과 주변 회로를 각각 별도 웨이퍼에 제작한 뒤 결합하는 방식으로, 각 영역에 적합한 공정을 적용할 수 있다. 첨단 노광장비 도입이 제한된 상황에서도 기존 장비를 활용해 적층 기술을 발전시킬 수 있다는 점이 특징이다.

YMTC는 엑스태킹 기술을 D램으로도 확대하고 있다. 지난해 10월부터 제2공장(Fab 2)에서 월 약 5000장 규모로 16기가비트(Gb) 저전력 D램(LPDDR5)을 연구개발하고 시험 중이다. 해당 제품의 데이터 전송속도는 7500MT/s다.

후속 제품으로는 수직채널트랜지스터(VCT) 기반 4F2 셀 구조를 적용한 9600MT/s급 LPDDR5를 개발하고 있다. 향후 제3공장(Fab 3)에서 양산할 계획이다.

다만 미국의 반도체 장비 수출통제는 변수다. YMTC는 2022년 12월부터 미국 상무부 거래제한 명단에 포함돼 있다. 차세대 D램의 품질 인증과 양산 일정, 생산능력 확대가 향후 사업 목표 달성의 관건이 될 전망이다.

닐 샤 카운터포인트리서치 리서치 부사장은 "장기적으로는 3D D램이 결국 업계가 가야 할 방향이 될 것"이라며 "적층 웨이퍼 결합 기술력을 이미 검증받은 YMTC가 이 전환에서 유리한 위치에 있다"고 전망했다.