中 CXMT 5년 후 D램 생산 비중 20% 전망···삼성전자·SK하이닉스 위협
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중국 메모리 반도체 기업들의 선두 추격이 빨라지고 있다. 중국 최대 D램 제조사인 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 공격적인 생산능력(캐파) 확대를 통해 향후 5년 내 글로벌 D램 웨이퍼 생산의 20%가량을 차지할 것이란 전망이 나온다.
시장 점유율에선 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 메모리 회사가 크게 앞서고 있지만, 중국이 이처럼 공격적인 캐파 확대를 지속하는 동시에 첨단 메모리에서도 양산 수준의 기술력을 확보한다면 그 증설 효과가 고부가 제품군으로 점차 확산될 수 있단 분석이다.
최정동 테크인사이츠 부사장은 "CXMT의 웨이퍼 생산 비중을 실제 D램 시장 점유율과 동일하게 볼 수는 없다. 적용 공정과 웨이퍼 한 장에서 생산할 수 있는 다이 수, 수율 등에 따라 실제 비트 생산량이 달라지기 때문에 단순히 이 수치가 올라간다 해서 몇 년 뒤 SK하이닉스를 넘는다고 해석해선 안된다"면서도, "그래도 웨이퍼 생산량으로만 보면 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 다음이 바로 CXMT"라고 설명했다.
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G4 공정 기반 LPDDR6 상용화 이어 HBM3E 8단 샘플링도 진행
양산 수준 기술력 확보 시 첨단 메모리로 증설 효과 확산할 수도
[시사저널e=고명훈 기자] 중국 메모리 반도체 기업들의 선두 추격이 빨라지고 있다. 중국 최대 D램 제조사인 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 공격적인 생산능력(캐파) 확대를 통해 향후 5년 내 글로벌 D램 웨이퍼 생산의 20%가량을 차지할 것이란 전망이 나온다.
시장 점유율에선 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 메모리 회사가 크게 앞서고 있지만, 중국이 이처럼 공격적인 캐파 확대를 지속하는 동시에 첨단 메모리에서도 양산 수준의 기술력을 확보한다면 그 증설 효과가 고부가 제품군으로 점차 확산될 수 있단 분석이다.
21일 반도체업계에 따르면 CXMT는 최근 중국 허페이와 베이징 공장 등을 중심으로 D램 캐파 확대에 속도를 내고 있다. 시장조사업체 테크인사이츠는 CXMT의 글로벌 D램 웨이퍼 생산 비중이 현재 약 13%에서 향후 2~3년 내 17~18%까지 상승할 것으로 내다봤으며, 생산시설 증설이 지속될 것으로 가정했을 때 2031년에는 20% 안팎까지 높아질 것으로 전망했다. 전세계 D램 웨이퍼 5장 중 1장을 생산할 수 있는 규모까지 올라설 것이란 관측이다.
미국 반도체·AI 전문 리서치 업체인 세미애널리시스 또한 CXMT의 올 연말 기준 D램 캐파를 월 35만장가량으로 추산했다. 이는 마이크론의 약 38만 5000장에 육박하는 수준으로, 상하이 신규 D램 공장 등을 더해 향후 월 60만장 수준까지 두배로 확대한단 계획이다. 삼성전자 약 72만장, SK하이닉스 약 59만 5000장 등에는 아직 못 미치지만, 기존 메모리 3강 구도를 위협하며 빠르게 추격하는 모습이다.
최정동 테크인사이츠 부사장은 "CXMT의 웨이퍼 생산 비중을 실제 D램 시장 점유율과 동일하게 볼 수는 없다. 적용 공정과 웨이퍼 한 장에서 생산할 수 있는 다이 수, 수율 등에 따라 실제 비트 생산량이 달라지기 때문에 단순히 이 수치가 올라간다 해서 몇 년 뒤 SK하이닉스를 넘는다고 해석해선 안된다"면서도, "그래도 웨이퍼 생산량으로만 보면 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 다음이 바로 CXMT"라고 설명했다.
대표적으로 모바일용 LPDDR에선 최근 LPDDR6 양산 진입을 공식화했다. 삼성전자·SK하이닉스보다 먼저 상용 제품을 발표한 것으로, 중국 스마트폰 제조사인 샤오미의 플래그십 폴더블폰 '샤오미 18 폴드'에 16GB 용량 제품을 공급한 것으로 전해진다.
CXMT의 LPDDR6에는 16나노급 G4 노드가 활용됐다. G4는 삼성전자·SK하이닉스의 10나노급 3세대(1z) 수준이지만, CXMT는 이를 활용해 LPDDR5X에 이어 LPDDR6도 개발해 상용화했다. 삼성전자와 SK하이닉스는 각각 10나노급 5세대(1b)와 6세대(1c) D램을 기반으로 LPDDR6를 개발한 것으로 전해진다.
최 부사장은 "중국 업체들은 기존 선두업체들이 여러 세대에 걸쳐 도입했던 기술의 중간 단계를 건너뛰며 빠르게 적용하고 있다"며, "CXMT의 최근 제품 세부적으로 보면 경쟁사 1b·1c D램과 비교해서도 거의 비슷하고 프로세스나 캐패시터도 깔끔하고 다이렉트 엔지니어링도 굉장히 잘하고 있다"고 평가했다.
그러면서 "어떻게 이렇게 잘할 수 있는지는 모르겠지만 중국은 산업 자체가 굉장히 독특하다. 글로벌 산업은 모든 것이 각 나라에 퍼져 있는 반면, 중국은 그 나라 안에 모든 것이 다 있다"며, "CXMT와 YMTC가 메모리를 만들면 프로세서, 시스템 검증, 시장 등 모두 그 안에서 다 형성할 수 있는 생태계가 완전하게 구축돼 있다. 그러다 보니 AI 메모리 관련해서는 개발부터 양산까지 빠르게 진행할 수 있는 것"이라고 분석했다.
CXMT는 HBM 개발도 가속화해 현재 HBM3(4세대)에 이어 HBM3E(5세대) 8단 제품도 개발해 현지 거래선과 샘플링을 진행 중인 것으로 전해진다. 알리바바 산하의 티헤드(T-Head)와 캠브리콘 등 중국 AI 반도체 업체들이 호환성을 시험하고 있는 것으로 알려졌다. HBM3E는 올 상반기까지 시장의 주류를 차지한 최신 세대 제품이다.
현재 시장 점유율 측면에선 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 주요 메모리 3사가 앞서고 있지만, 중국이 빠르게 올라오는 추세다. 또 다른 시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 지난 2분기 매출액 기준 글로벌 D램 시장에서 CXMT는 10% 점유율로 전년 동기(4%) 대비 두배 이상 성장했다. 같은 기간 삼성전자는 5%p 오른 38%를, SK하이닉스는 14% 감소한 25%를, 마이크론은 2% 증가한 24%를 기록했다.
◇YMTC, 삼성 중국 낸드 물량 잠식···"수율 차치하고서라도 기술만 보면 리딩 회사"
YMTC가 중국 스마트폰·PC·서버 등 자국 수요처를 기반으로 공급을 늘리면서 기존에 삼성전자가 차지했던 중국 현지 물량을 점차 대체하고 있단 분석이다. 삼성전자는 중국 시안 공장에 낸드 생산라인을 구축하고 현지 시장을 중심으로 글로벌 낸드 수요에 대응 중이다. 해당 생산거점이 삼성전자 전체 낸드 생산량의 40%가량을 차지하는 것으로 전해진다.
최 부사장은 "삼성전자가 낸드 시장 선두를 달리고 있지만, 중국 내 시장이 상당한 비중을 차지하고 있다. 그런데 YMTC가 내수 시장을 계속 섭렵해 나가면서 삼성전자의 비중이 조금씩 줄어들고 있다"며, "현재 YMTC의 비중이 12~13%까지 올라왔고 중국 내에서 YMTC가 잠식할수록 삼성전자는 점점 줄어드는 경향이 확실하게 나타나고 있다"고 설명했다.
YMTC는 하이브리드 본딩을 활용한 '엑스태킹(Xtacking)'이라는 독자적인 적층 기술을 개발해 삼성전자·SK하이닉스 등 보다 먼저 3D 낸드에 적용해 양산 중이다. 엑스태킹은 메모리 셀 어레이와 CMOS 주변 회로를 각각 별도의 웨이퍼에서 만든 뒤 결합하는 기술이다. 이를 통해 현재 267단 3D 낸드까지 양산 영역을 확대했으며, 2테라비트(Tb)급 쿼드레벨셀(QLC) 제품 개발도 완료한 것으로 전해진다.
최 부사장은 "공개된 제품 가운데 YMTC의 'X4-6080'은 267단 엑스태킹 4.0 기반 2Tb QLC 다이(die)로 확인됐다. 이는 2TB 3D 낸드 다이로써는 최초"라며, "YMTC는 수율은 차치하고서라도 기술 측면에서는 어찌 보면 리딩 컴퍼니라고 할 정도로 굉장히 혁신적인 기술을 많이 사용하고 있다. 지금도 굉장히 공격적으로 개발을 진행하고 있다"고 말했다.
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