[단독] 삼성전자, 내년 HBM4·4E 생산 2배 늘린다

■고적층 공정으로 중심축 전환
글라스 캐리어 수요 2.5배 확대
내년 HBM 월평균 25만장 생산
6·7세대 비중 80%까지 높일 듯

지난 3월 경기도 수원시 영통구 수원컨벤션센터에서 열린 제57기 삼성전자 정기주주총회에서 한 주주가 6세대 고대역폭메모리(HBM4)와 HMB4E(7세대)를 스마트폰 카메라로 촬영하고 있다. 연합뉴스

삼성전자(005930)가 내년 6세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM4와 7세대 HBM인 HBM4E 등 HBM4 계열 생산량을 올해보다 최소 2배 이상 늘릴 것으로 전망된다. HBM용 D램을 얇게 가공하는 과정에서 웨이퍼를 받쳐주는 유리 지지체인 ‘글라스 캐리어’ 수요량을 올해보다 2.5배 늘린다는 계획을 세우면서다.

20일 반도체 업계에 따르면 삼성전자는 HBM 생산 공정에 필수적인 글라스 캐리어 외주 세정 물량을 올해 월 2만 장에서 내년 월 5만 장까지 늘린다. 글라스 캐리어는 지난해만 해도 월 1만 장이 필요했는데 올해는 전년 대비 2배, 내년에는 올해 대비 2.5배 늘어나는 것이다.

글라스 캐리어는 HBM용 D램 웨이퍼를 얇게 깎고 구멍을 뚫는 과정에서 웨이퍼가 휘거나 깨지는 것을 막기 위해 아래쪽에 임시로 붙이는 지지체다. HBM은 제한된 두께 안에 D램 여러 장을 쌓아야 해 적층 단수가 높아질수록 웨이퍼를 얇게 만드는 기술과 휨을 제어하는 공정의 중요성이 커진다.

삼성전자가 특히 생산 확대를 준비하는 HBM4와 HBM4E는 12단 이상 고적층 제품이 중심이다. 업계에서는 글라스 캐리어가 세정 후 반복 사용되고 공정별 투입 방식과 수율에 따라 사용량이 달라지는 것을 고려하더라도 관련 물량이 2.5배 늘면 HBM4·HBM4E 생산량은 올해보다 최소 2배 이상 커질 가능성이 높은 것으로 분석한다.

삼성전자는 올 2월 10㎚(나노미터·10억분의 1m)급 6세대(1c) D램과 4나노 공정의 베이스다이를 적용한 HBM4 양산 출하를 시작했다. 5월에는 HBM4E 12단 샘플도 엔비디아 등 고객사에 제공했다.

업계에서는 삼성전자의 HBM 생산 규모가 월평균 웨이퍼 투입량 기준 올해 약 18만 장에서 내년 약 25만 장으로 40% 가까이 늘어날 것으로 보고 있다. 제품별 출하 비중을 보면 HBM4 계열은 올해 40% 안팎에서 내년에는 HBM4E 양산이 본격화하면서 약 80%에 달할 것이라는 전망도 나온다. 업계 관계자는 “삼성이 HBM 생산을 늘려가면서 고부가 제품인 HBM4를 중심에 두는 것으로 보인다”고 설명했다.

올 2월 충남 삼성전자 천안캠퍼스에서 6세대 고대역폭메모리(HBM4) 제품이 트럭에 실려 양산 출하되고 있다. 삼성전자

서종갑 기자 gap@sedaily.com