삼성 약진에 中 CXMT 진출… HBM시장 요동

하이닉스 50% 점유 압도적 1위
2분기 점유율은 8% 포인트 하락
삼성전자 33%… 11%포인트 급등
CXMT, HBM3E 생산 성공 주목

SK하이닉스가 압도적 1위를 달리고 있는 고대역폭메모리(HBM) 시장에 지각변동이 일고 있다. 한때 마이크론보다 점유율이 뒤처졌던 삼성전자가 점유율을 대폭 끌어올리며 SK하이닉스를 긴장케 하는 양상이다. 여기에 중국 창신메모리(CXMT)까지 5세대 제품인 HBM3E 생산에 성공하며 경쟁에 뛰어들 태세다. HBM 시장을 둘러싼 주도권 다툼이 한층 치열해질 것으로 보인다. 6일 시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 올해 2분기 SK하이닉스 HBM 시장 점유율은 50%였다. 여전히 1위 자리를 굳건히 지켰지만, 1분기 대비 8%포인트 감소했다. 지난해 동기 점유율(64%)에 비해선 14%포인트나 낮아졌다. 반면 2위 삼성전자는 올해 2분기 점유율이 33%로, 전 분기 대비 11%포인트 올랐고, 전년 동기 대비 2배 넘게 증가했다.

그 결과, 지난해 2분기 49%포인트까지 벌어졌던 SK하이닉스와 삼성전자의 HMB 시장 점유율 격차는 17%포인트까지 좁혀졌다. SK하이닉스가 HBM3 시장을 선점한 이래로 꾸준히 유지했던 ‘압도적 1위’ 자리가 흔들리는 것이다. 특히, 2분기 점유율에는 6세대 제품 HBM4 판매 수치가 온전히 반영되지 않아 양사 격차가 더 좁혀질 수 있다. HBM4는 삼성전자가 시장 선점에 성공했다는 평가가 나온다. 삼성전자는 자사 파운드리의 선단공정과 시스템LSI의 설계 역량까지 활용하고 있어, HBM4 판매 수치가 반영되는 3분기부터 추격 속도를 더 높일 전망이다.

중국의 CXMT가 HBM3E 소량 생산에 성공하면서 삼성전자와 SK하이닉스, 미국 마이크론이 분할한 반도체 시장 지형이 어떻게 달라질지도 관심사다. 현재 알리바바의 자회사 T헤드와 캠브리콘 테크놀로지를 비롯한 중국 팹리스(반도체설계전문기업)들이 자사 프로세서와 함께 CXMT의 HBM3E를 시험 중인 것으로 전해졌다. 이르면 2027년부터 CXMT의 HBM3E를 탑재한 제품이 출시될 예정이다. HBM3E는 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론이 최근에야 양산에 성공한 HBM4 바로 이전 세대 모델이다. 당초 미국의 첨단생산장비 제재로 CXMT가 HBM3E는 고사하고 HBM3도 생산도 어렵다는 전망이 우세했는데 보기 좋게 빗나간 것이다.

CXMT가 기술력 부족으로 수율(생산품 중 정상품 비율)이 낮아 HBM3E 양산까지는 어려운 상황이지만 압도적인 내수 시장과 중국 정부 지원을 발판으로 적극 생산에 나설 것이란 관측이 제기된다. CXMT는 중국 기업들이 범용(일반) D램 제품을 계속 사들이는 덕분에 올해 2분기에만 776억500만위안(약 15조6216억원)을 벌어들였다. 범용 D램이 벌어다 준 돈으로 적자를 충분히 감내할 수 있다는 얘기다. 반도체 업계 관계자는 “SK하이닉스와 삼성전자, 마이크론의 기존 3사는 물론 CXMT까지 가세하면서 HBM 시장 경쟁이 더욱 치열해질 것”이라고 했다.

반진욱 기자 halfnuk@segye.com