삼성전자, 메모리 한계 넘을 ‘CUBE’ 전략 발표…“수직 확장으로 용량 늘린다”

1일 대만 타이베이에서 열린 ‘세미콘 타이완 2026’에서 최장석 삼성전자 DS부문 메모리사업부 상품기획팀장(상무)이 메모리 기술 한계 극복을 위한 ‘CUBE’ 전략을 발표하는 모습. 삼성전자 제공

삼성전자가 이달 2일부터 4일까지 대만 타이베이에서 진행된 ‘세미콘 타이완 2026’에 참가해 최신 메모리 기술을 발표한다.

1일 삼성전자는 최창석 삼성전자 DS부문 메모리사업부 상품기획팀장(상무)이 세미콘 타이완 본 행사를 앞두고 열린 ‘메모리 경영 서밋(Memory executive summit)’에서 메모리 기술 한계 극복을 위한 ‘CUBE’ 전략을 발표했다고 밝혔다. 이는 △Capacity(용량) △Utilization(최적화) △Bandwidth(대역폭) △Efficiency(전력·열 효율)의 앞글자를 딴 전략이다.

최 상무는 “더 이상 PCB(인쇄회로기판) 면적에 제한되지 않고, 수직으로 확장해 메모리 용량을 늘릴 것”이라고 했다. 이어 “3D는 단순히 쌓는 것이 아니라 각 층을 어떻게 활용하느냐가 핵심”이라며 “삼성은 데이터 처리 지연을 없애기 위해 로직과 메모리 배치를 최적화하고 있다”고 했다.

CUBE 전략에 맞게 삼성은 최근 ‘zHBM’과 ‘z낸드-O(zNAND-O)’ 기술을 공개한 바 있다. zHBM은 가로·세로(XY축)의 2차원에서 벗어나 AI 가속기(xPU) 위에 HBM을 수직(Z축)으로 적층하는 방식이다. 기존에는 xPU 옆에 HBM을 쌓는 방식이었지만 아예 xPU 위에 HBM을 쌓음으로써 메모리 간 물리적 거리를 좁혔다. 이를 통해 HBM5 대비 성능은 최대 8배, 열 저항은 최대 90% 감소시킬 수 있다.

z낸드-O는 낸드플래시를 8단으로 적층한 제품으로, HBM 대비 속도는 느리지만 더 많은 데이터를 적은 전력으로 저장할 수 있다는 것이 강점이다. 회사는 2028년 z낸드-O 제품의 샘플을 공급할 예정이다.

최지원 기자 jwchoi@donga.com