삼성전자-SK하닉, 美 FMS서 '포스트 HBM' 주도권 대결

세계 최대 규모 메모리 행사 참가
'AI 병목' 뚫을 차세대 해법 공개
삼성, 수직 적층 '3D D램' 제시
하닉, HBF·375단 4D 낸드 주목

FMS 2026 SK하이닉스 전시 조감도. SK하이닉스 제공

삼성전자와 SK하이닉스가 미국에서 차세대 인공지능(AI) 메모리 기술 로드맵 대결에 나선다. 양사는 AI 고도화로 급증하는 데이터의 처리·이동·저장 과정에서 발생하는 병목을 해소하기 위한 다양한 차세대 메모리 기술을 선보일 예정이다.

■삼성, '메모리 3D 혁신' 전략 공개

4일 반도체 업계에 따르면 삼성전자와 SK하이닉스는 이날부터 오는 6일(현지시간)까지 미국 캘리포니아주 산타클라라 컨벤션센터에서 열리는 'FMS 2026'에 참가한다.

FMS는 올해 20주년을 맞은 세계 최대 규모의 메모리·스토리지 전문 행사다. SK하이닉스는 FMS 2026 개막에 맞춰 샌디스크와 차세대 스토리지 기술인 고대역폭 낸드플래시(HBF)의 첫 표준 규격을 전격 공개했다.

삼성전자는 이진엽 메모리사업부 플래시개발실장 부사장과 김경륜 D램설계팀 상무가 '메모리·스토리지 아키텍처의 3D 혁신'을 주제로 발표한다. 차세대 고대역폭 메모리(HBM)와 V낸드, 미래 메모리 기술을 활용해 AI 데이터 병목을 해소하는 '메모리 중심 AI 아키텍처'가 핵심이다.

업계에서는 플래시와 D램 개발 임원이 공동 발표에 나서는 만큼 3D D램을 비롯한 삼성전자의 차세대 메모리 구조와 로드맵이 제시될 것으로 보고있다. 3D D램은 완성된 D램 칩을 수직으로 쌓는 HBM과 달리 칩 내부의 셀과 트랜지스터 구조를 입체화하는 기술이다. 평면 미세화의 물리적 한계를 극복할 대안으로 꼽힌다.

삼성전자는 지난 2월 그래픽처리장치(GPU)와 HBM을 3D 구조로 수직 적층해 연결하는 'zHBM'을 차세대 메모리 기술로 소개했다.

■하이닉스, 개막 맞춰 HBF 표준 공개

SK하이닉스가 이날 삼성전자보다 한 발 앞서 공개한 HBF의 첫 표준 규격은 차세대 HBM으로 불리는 기술이다. 지난해 8월 샌디스크와 HBF 표준화 협력에 나선 데 이어, 올해 2월 컨소시엄을 출범한 지 약 6개월 만에 내놓은 첫 결과물이다. SK하이닉스는 FMS 2026에서 HBF를 AI 시대의 메모리 병목을 풀어낼 핵심 기술로 소개한다.

김천성 SK하이닉스 솔루션개발 부문장과 강욱성 차세대 상품기획 담당이 나서 'AI 에이전트 시대, 계층형 메모리에 기반한 AI 인프라의 효율적 구현 방안'을 주제로 발표를 진행한다.

HBF는 HBM과 솔리드스테이트드라이브(SSD) 사이에 놓이는 새로운 메모리 계층이다. HBM처럼 데이터를 빠르게 주고받으면서도, 낸드를 기반으로 해 용량을 크게 키울 수 있다. AI 추론이 확산되며 다뤄야 할 데이터가 급격히 늘어난 상황에서, 대역폭과 용량 확장성을 동시에 잡을 수 있는 기술로 주목받고 있다.

SK하이닉스는 행사 기간 10세대(V10) 375단 4D 낸드의 웨이퍼와 제품을 처음으로 공개할 계획이다. 375단 4D 낸드는 이전 세대보다 전력 대비 성능을 2.5배 높인 것이 특징으로, 전력 효율과 성능을 동시에 요구하는 데이터센터 등 AI 인프라 환경에 최적화됐다. 회사는 내년 초 이를 기반으로 한 고성능·고용량 eSSD 양산에 착수해 AI 시장에서의 낸드 리더십을 한층 강화할 계획이다.

one1@fnnews.com 정원일 기자