미국 수출규제 뚫고 침지형 DUV 노광장비 자체 생산 중국…ASML과 기술 격차 해소에는 얼마나?

JP 모건 “3~4년” 블룸버그 “7~8년”
대중국 기술규제 속에서 돌파구 마련
수입 부품 대체와 추가제재, 소송 변수

미국 오레건의 인텔 반도체 공장 노동자가 4월 18일 ASLM 반도체 노광장비를 들여다보고 있다./ 로이터연합뉴스

중국이 자체 개발한 침지형 심자외선(DUV) 노광장비를 양산한다는 소식이 알려지면서 향후 글로벌 반도체 업계에 미칠 파장에 관심이 쏠린다. 당장의 시장에 영향을 주지는 못하지만 중국 반도체 기술이 미국의 첨단 반도체 장비 수출 규제를 받는 가운데 돌파구를 마련했다는 평가가 나온다.

싱가포르 매체 연합조보는 29일 중국의 침지형 DUV 반도체 양산은 미국의 대중국 견제 방침인 ‘뒷마당 높은 장벽’ 전략이 실패했음을 보여주는 소식이라고 전문가를 인용해 보도했다. 푸팡첸 싱가포르 경영대 교수는 “이 소식이 사실이라면, 이는 중국이 핵심 기술적 과제를 해결하고 미국이 중국을 압박하려는 시도를 극복하는 데 있어 획기적인 돌파구가 될 것”이라고 말했다. 다만 그는 “신규 장비는 여러 테스트를 거쳐야 하고 품질 개선도 필요할 것 ASML을 따라잡으려면 3~4년은 걸릴 것”이라고 말했다.

장판 어드밴티지 리서치 컨설팅의 공동 창립자는 “현재 중국의 1세대 DUV는 ASML의 기존 제품만큼 우수하지는 않지만, 기반이 마련되었으므로 제품을 개선할 수 있다”며 “중국이 7나노미터 기술을 돌파하는 것은 시간 문제”라고 말했다. JP모건 분석가들은 보고서에서 중국의 관련 기업이 수율·정확도·처리량·신뢰성 등을 확보한 뒤에야 의미 있는 대량 생산이 가능할 것으로 봤다.

블룸버그 통신은 중국의 DUV 장비는 일부 핵심 부품은 일본에서 수입하기 때문에 더 오랜 시간이 걸릴 것이라고 보도했다. 블룸버그 인텔리전스의 마사히로 와카스기 애널리스트는 중국이 노광장비 분야에서 ASML과의 기술 격차를 완전히 해소하는 데 7년에서 10년이 걸릴 수 있으며, 외국산 장비를 교체하는 데는 그보다 더 오랜 시간이 걸릴 수 있다고 예측했다.

중국이 일부 부품 교체에 시간이 지체되는 동안 ASML의 특허 침해 소송과 미국의 추가 수출 규제가 중국의 노광장비 생산을 지연시킬 것이라는 관측도 있다.

로이터통신은 28일 중국 상하이의 국영기업 아이성나전자기술그룹(아이성나)이 최근 침지형 DUV 노광장비 양산에 돌입해 올해 5대를 출하할 계획이라고 보도했다. 미국 기술전문 매체 더 인포메이션은 27일 상하이의 국영기업이 침지형 DUV 노광장비를 올해 5대, 내년 20대 생산해 화훙, CXMT 등 중국 반도체 기업에 납품할 예정이라고 보도했다.

노광장비는 반도체 제조 공정에서 빛을 이용해 웨이퍼 표면에 미세한 회로 패턴을 그리는 장비다. 회로 선폭에 따라 EUV), DUV 등으로 나뉜다. DUV는 EUV보단 해상도가 낮지만 자동차, 가전제품, 의료기기 등에 사용되는 반도체 생산에 필요하다. 침지형 DUV는 한 단계 더 나아가 렌즈와 웨이퍼 사이에 물을 채워 해상도를 높였다.

중국은 미국의 반도체 수출 규제로 세계 최고 사양의 노광장비인 ASML의 최신 노광장비를 수입하지 못하게 되자 침지형 DUV 노광장비를 개발했다. EUV 장비도 개발 중이지만 아직 시제품 단계라고 전해진다.

28일(현지시간) ASML의 주가는 이틀 전에 비해 11% 하락하며 6월 초 이후 최저치로 마감했다. ASML에 자재를 공급하는 일본 기업 라저텍의 주가는 전날대비 14% 하락했으며, 한때 ASML의 라이벌이었으며 현재는 저가 노광장비를 생산하는 니콘 주가도 11% 떨어졌다.

베이징 | 박은하 특파원 eunha999@kyunghyang.com