티에스이, 리픽싱 없이 1000억 CB 발행…HBM 증설 승부수

/ 사진 제공 = TSE

반도체 테스트 부품 기업 티에스이(TSE)가 이자율 0% 조건으로 1000억원 규모의 전환사채(CB)를 발행한다. 시가 하락에 따른 전환가액 조정 조항도 두지 않은 채 대규모 자금을 확보해 고대역폭메모리(HBM)·D램용 프로브카드 생산능력 확대에 나선다. 투자에 참여한 기관투자자들이 이자 수익보다 향후 주가 상승에 따른 전환 차익에 무게를 둔 것으로 해석된다.

13일 금융감독원 전자공시시스템에 따르면 티에스이는 1000억원 규모의 제1회차 사모 CB 발행을 결정했다. 조달 자금은 시설자금 500억원, 운영자금 500억원으로 나눠 사용한다. 전환가액은 이사회 결의일 기준 주가를 100% 반영한 23만8664원이며, 만기일은 2031년 7월 22일이다.

이번 CB는 발행사에 유리한 조건으로 설계했다. 표면이자율과 만기이자율이 모두 0%인 데다 전환가액은 기준주가의 100%인 23만8664원으로 정해졌다. 주가가 떨어져도 전환가액을 낮춰주는 리픽싱 조항이 없다. 다만 투자자는 발행 후 30개월이 되는 2029년 1월부터 원금 기준으로 조기상환을 청구할 수 있다.

회사 측은 전체 발행액의 30%인 300억원에 대해 주식매도청구권(콜옵션)을 확보했다. 2027년 7월부터 2029년 1월까지 회사 또는 회사가 지정하는 제3자가 해당 CB를 권면금액으로 되사올 수 있다. 콜옵션 물량을 전환할 경우 취득 가능한 주식은 최대 12만5699주로, 전체 발행주식의 1.12%다. 향후 행사 주체에 따라 최대주주 측 지분 희석을 완화하거나 시장에 출회될 잠재 물량을 줄이는 수단으로 활용할 수 있다.

조달 자금 중 절반인 500억원은 2028년까지 HBM 및 D램용 프로브카드 생산 설비 증설에 투입한다. 프로브카드는 반도체 웨이퍼 칩의 불량 여부를 검사하는 부품이다. 최근 티에스이는 낸드플래시 중심에서 기술 장벽이 높은 고부가가치 D램과 HBM 분야로 사업 구조를 재편하며 글로벌 고객사 공급 물량을 늘리고 있다.

이러한 사업 재편은 실적 개선으로 이어졌다. 티에스이의 지난해 연결 기준 매출액은 4289억원, 영업이익은 492억원으로 전년 대비 각각 23.2%, 23.2% 증가했다. 고부가가치 제품 비중 확대가 외형과 이익의 동반 성장을 이끌었다.

올해 들어 성장세는 더욱 가팔라졌다. 1분기 연결 기준 매출액은 1507억원, 영업이익은 420억원으로 지난해 연간 영업이익의 85%를 한 분기 만에 달성했다. HBM을 비롯한 고사양 메모리용 프로브카드 공급 확대가 수익성 개선을 견인한 것으로 분석된다.

증권가에서는 전방 고객사의 설비투자 확대와 고사양 메모리용 프로브카드 수요 증가에 힘입어 올해도 실적 개선이 이어질 것으로 보고 있다. 핵심 부품 내재화와 공정 자동화도 고사양 제품 경쟁력을 높이는 요인으로 꼽힌다.