SK하이닉스, HBM4E 샘플 공급 시작

SK하이닉스의 7세대 고대역폭 메모리(HBM4E) 제품. /SK하이닉스

SK하이닉스가 7세대 고대역폭 메모리(HBM4E) 12단 샘플을 주요 고객사에 공급하기 시작했다. HBM 시장을 이끌어온 SK하이닉스는 지금껏 쌓아온 노하우를 바탕으로 차세대 제품 공급에도 속도를 내겠다는 계획이다.

SK하이닉스는 7세대 고대역폭 메모리(HBM4E) 12단 샘플을 주요 고객사에 공급했다고 18일 밝혔다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 쌓아 데이터 처리 속도를 높인 메모리 반도체로, 엔비디아 등 AI 가속기에 필수적으로 탑재된다. HBM4E는 엔비디아가 올 하반기 출시할 예정인 AI 가속기 ‘베라 루빈’에 들어가는 HBM4의 다음 제품이다. 내년 출시 예정인 ‘베라 루빈 울트라’에 HBM4E가 탑재된다.

SK하이닉스의 HBM4E는 이전 세대인 HBM4 대비 성능과 전력 효율을 모두 한 단계 끌어올린 것이 특징이다. 최대 16Gbps의 데이터 처리 속도를 구현하고 에너지 효율을 20% 이상 개선해, AI 학습과 추론에 필수적인 데이터 처리 성능을 대폭 높였다고 회사 측은 설명했다.

SK하이닉스는 HBM4까지 10나노급 5세대(1b) D램을 썼으나, 이번 제품부터는 10나노급 6세대(1c) D램을 도입했다. SK하이닉스는 “HBM4E는 최신 인터페이스와 설계 최적화로 데이터 전송 지연을 줄이고 고대역폭 환경에서도 안정적인 동작을 구현했다”며 “차세대 AI 데이터센터와 대규모 컴퓨팅 시스템의 처리 효율을 한층 높일 수 있을 것”이라고 했다.

SK하이닉스는 HBM4E에 ‘어드밴스드 MR-MUF’ 공정을 적용했다고 밝혔다. MR-MUF는 반도체 칩을 쌓은 뒤 칩 사이 공간에 액체 형태의 보호재를 주입해 굳히는 패키징 공정이다. 어드밴스드 MR-MUF는 이를 개선한 방식으로 구조 안정성을 높이고, 열 저항을 HBM4 대비 약 17% 낮춰, 고성능 컴퓨팅 환경에서도 메모리가 안정적으로 동작하도록 했다.

안현 SK하이닉스 개발총괄 사장(CDO)은 “그동안 쌓아온 업계 최고의 기술 경쟁력과 양산 역량을 HBM4E 제품에서도 이어가, AI 혁신을 지속적으로 리드해 갈 수 있는 기반을 마련했다”며 “파트너들과 협력을 바탕으로 시장이 요구하는 가치를 선제적으로 구현해, 풀 스택 AI 메모리 크리에이터로서의 기술 리더십을 공고히 하겠다”고 했다.