"삼성전자, 차세대 HBM5 공개…엔비디아 잡을 카드 될까"

삼성전자 HBM5 실물모형 (사진=연합뉴스)

삼성전자가 차세대 고대역폭메모리(HBM) 시장 선점을 위한 기술력을 공개하며 AI 반도체 경쟁력 강화에 나섰다.

송재혁 삼성전자 최고기술책임자(CTO) 겸 DS부문 사장은 2일 대만 타이베이에서 열린 컴퓨텍스 2026 현장에서 기자들과 만나 "급변하는 AI 산업 환경에 대응하기 위해서는 메모리와 파운드리, 로직, 패키징을 아우르는 토탈 솔루션 경쟁력이 중요하다"고 밝혔다.

삼성전자는 이번 전시에서 차세대 제품인 8세대 HBM(HBM5)의 실물 모형(목업)을 처음 공개했다. 특히 HBM5에 처음 적용될 핵심 열관리 기술인 'HPB(Heat Path Block)' 구조를 선보이며 차세대 AI 메모리 기술 방향을 제시했다.

HPB는 고성능 AI 메모리 구동 과정에서 발생하는 발열을 효과적으로 제어하기 위한 기술이다. 다이와 다이 사이에서 발생하는 열을 보다 효율적으로 분산·방출할 수 있도록 설계돼 성능과 안정성을 높이는 역할을 한다.

삼성전자는 이미 HBM4E 기반으로 HPB 기술 구현과 검증을 완료했으며, 향후 HBM5부터 본격 적용할 계획이다. 또한 HBM5에는 자체 파운드리 2나노 공정으로 생산한 베이스 다이를 적용해 성능 경쟁력을 한층 끌어올린다는 전략이다.

송 사장은 "굴뚝과 같은 별도의 열 전달 경로를 추가해 열 저항을 낮추고 동작 안정성을 향상시켰다"며 "고대역폭·고집적 AI 환경에서 차세대 HBM 성능과 시스템 효율 개선에 중요한 역할을 할 것"이라고 설명했다.

이와 함께 삼성전자는 최근 업계 최초로 샘플 출하를 완료한 HBM4E의 웨이퍼와 칩셋도 공개했다.

HBM4E는 최선단 1c D램 코어 다이와 자체 4나노 공정 기반 베이스 다이를 결합한 제품으로, 핀당 최대 14Gbps의 속도로 동작한다. 최대 16Gbps, 대역폭 기준 최대 4TB/s 구현이 가능해 차세대 AI 서버와 고성능 컴퓨팅(HPC) 시장을 겨냥하고 있다.

삼성전자는 HBM4E와 HBM5를 앞세워 AI 메모리 시장 주도권 확보에 속도를 낸다는 방침이다.