파업 위기 넘어 다시 본업에 열중하는 삼성전자, 세계 최초 HBM4E 샘플 출하

파업 위기를 넘기고 성과급 갈등을 마무리한 삼성전자가 다시 본업에 열중하고 있다. 삼성전자는 29일 세계 최초로 차세대 고대역폭 메모리(HBM4E) 12단 샘플을 고객사에 전격 공급했다고 밝혔다. HBM4E는 엔비디아의 차세대 AI 가속기인 ‘베라 루빈’에 들어가는 HBM4의 다음 제품이다.
엔비디아 ‘블랙웰’에 탑재되는 HBM3E 경쟁에서는 SK하이닉스에 밀려 별다른 공급 물량을 확보하지 못한 삼성전자는 HBM 기술 경쟁력을 회복하기 위해 전담팀을 꾸렸고 지난 2월 업계 최초로 HBM4 양산 출하에 성공했다. 이번에 HBM4E 12단 샘플까지 세계 최초로 출하하면서 HBM 기술 경쟁력을 다지고 독주 채비를 갖춘 것으로 업계는 보고 있다.

삼성전자가 출하를 시작한 HBM4E 샘플은 핀당 동작 속도가 14Gbps에서 최대 16Gbps다. 전작인 HBM4 대비 20% 이상 향상됐다. 또 단일 스택 기준 초당 3.6TB(테라바이트)의 대역폭을 제공해 대규모 언어 모델(LLM) 및 차세대 AI 시스템의 연산 속도를 높인다. 용량은 48GB(기가바이트)의 고용량으로, 전작 대비 용량이 30% 이상 늘었다. 삼성전자는 “앞으로 고객사의 다양한 서비스 환경에 맞춰 32GB(8단), 64GB(16단)까지 확대한다”는 계획이다. 삼성전자는 HBM4E에 기본적으로 HBM4 제작에 사용한 최선단 공정을 그대로 적용했다. 1c(10나노급 6세대) D램과 자체 4나노 파운드리 로직 다이를 적용했다. 저전력 설계 및 패키징 구조 최적화 기술을 집약해 전작 대비 에너지 효율은 16%, 열 저항 특성은 14% 이상 개선했다고 삼성전자는 밝혔다.
삼성전자는 현재 양산 중인 HBM4 생산도 확대한다는 방침이다. 황상준 삼성전자 메모리사업부 부사장은 “HBM4 양산 성공에 이어 차세대 HBM4E 샘플 공급까지 차질 없이 완수하며 삼성전자의 독보적인 기술 리더십을 시장에 확실히 각인시켰다”고 말했다. 업계에 따르면 삼성전자는 현재 HBM4에 들어가는 1c D램 수율을 75% 이상으로 끌어올린 것으로 알려졌다. HBM4 완제품 수율은 60% 정도로 전해진다. 삼성전자는 연말까지 HBM4 완제품 수율을 80% 이상으로 높이겠다는 계획이다.
한편 HBM4로 인한 매출은 내년부터 본격화될 것으로 보인다. 엔비디아가 베라 루빈의 출시를 당초 계획인 올 초에서 하반기로 연기하면서 내년에야 HBM4 관련 매출이 큰 폭으로 상승할 것으로 예상된다. 올해는 HBM3E 물량 중심으로 시장이 유지되며 삼성전자보다는 SK하이닉스 매출에 더 긍정적일 것이란 분석이다.
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