“SK하이닉스 보고 있나”…삼성전자, 세계 최초 HBM4E 12단 샘플 출하

1c D램·4나노 로직 다이 적용
최대 16Gbps까지 속도 구현
고속 동작에도 안정적 성능
에너지 효율 16% 개선

삼성전자가 세계 최초로 출하한 HBM4E 12단 제품 모습. 1c D램과 4나노 로직 다이 적용으로 공정 안정성과 양산성을 동시에 확보했다.[삼성전자]

삼성전자가 차세대 인공지능(AI) 메모리 시장의 판도를 바꿀 초격차 기술을 선보이며 고대역폭메모리(HBM) 시장 주도권 굳히기에 나섰다.

삼성전자는 세계 최초로 차세대 AI 가속기의 핵심이 될 ‘HBM4E 12단’ 샘플을 글로벌 고객사에 전격 공급했다고 29일 밝혔다.

삼성전자는 “지난 2월 업계 최고 속도를 구현한 6세대 고대역폭메모리(HBM4) 양산 출하에 성공하며 시장의 이정표를 세운 데 이어, 불과 수개월 만에 7세대 HBM4E 공급까지 개시하며 고대역폭 메모리 시장의 절대적 기술 리더십을 다시 한번 증명했다”고 의미를 부여했다.

삼성전자에 따르면 HBM4E는 설계 및 공정 최적화를 통해 독보적인 스펙을 구현했다. 우선 핀당 동작 속도는 14Gbps(초당 기가비트)에서 최대 16Gbps까지 지원한다. 이는 전작 HBM4 대비 20% 이상 대폭 향상된 수치다.

또한, 단일 스택 기준 초당 3.6TB(테라바이트)의 대역폭을 제공한다. 회사 측은 “대규모 언어 모델(LLM) 및 차세대 AI 시스템의 연산 속도를 극대화했다”고 강조했다.

용량 측면에서도 개선을 이뤄냈다. HBM4E 12단 제품은 48GB(기가바이트)의 고용량을 구현해 전작 대비 용량을 30% 이상 늘렸다. 삼성전자는 향후 고객사의 서비스 환경에 맞춰 32GB(8단), 64GB(16단)까지 라인업을 확대해 나갈 계획이다.

이번 제품의 가장 큰 차별점은 자사가 보유한 메커니즘의 완벽한 조화에 있다고 삼성전자는 거듭 피력했다. 전작 HBM4에서 이미 검증된 최선단 공정 기반의 1c(10나노급 6세대) D램과 자체 파운드리 4나노 로직 다이를 적용했는데, 이를 통해 초미세 공정의 안정성을 극대화하는 동시에 수율과 양산성을 확보했다는 설명이다. 삼성 측은 경쟁사들이 쉽게 따라올 수 없는 압도적인 진입장벽을 구축했다고 자평했다.

이번 제품은 또 전작 대비 에너지 효율은 16%, 열 저항 특성은 14% 이상 크게 개선했다.

삼성전자는 이번 샘플 공급을 시작으로 고객 일정에 맞춰 양산 공급할 예정이다.

황상준 삼성전자 메모리사업부 개발담당 부사장은 “HBM4 양산 성공에 이어 차세대 HBM4E 샘플 공급까지 차질 없이 완수하며 삼성전자의 독보적인 기술 리더십을 시장에 확실히 각인시켰다”며 “앞으로도 압도적인 기술 초격차와 선제적인 생산 인프라 투자를 바탕으로 글로벌 AI 메모리 시장의 성장을 강력하게 주도할 것”이라고 강조했다.