삼성, 'HBM4E 12단' 세계 최초 샘플 공급…전작 출하 3개월 만

전작 HBM4 대비 성능 개선
속도 20%·용량 30%·에너지 효율 16% 향상

삼성전자 HBM4E 12단 제품이 세계 최초로 글로벌 고객사에 출하되는 모습. 삼성전자 제공

삼성전자가 차세대 인공지능(AI) 가속기의 핵심 반도체인 고대역폭메모리(HBM) 7세대 제품 'HBM4E 12단' 샘플을 세계 최초로 출하했다. 지난 2월 6세대 HBM4를 최초 양산 출하한 지 불과 3개월 만에 차세대 제품 샘플까지 공급하며 글로벌 시장에서 HBM 기술 주도권 굳히기를 가속화하고 있는 것이다.

삼성전자는 HBM4E 12단 샘플을 글로벌 고객사에 공급했다고 29일 밝혔다. 삼성전자 관계자는 "이번 HBM4E 공급은 단순한 제품 라인업 확대를 넘어, 향후 수년간 폭발적으로 성장할 글로벌 AI 인프라 시장에서 독보적인 공급 역량과 기술적 우위를 확고히 하는 계기가 될 것으로 기대된다"고 밝혔다.

삼성전자의 HBM4E는 설계와 공정 최적화를 통해 독보적 스펙을 갖췄다. 핀당 동작 속도는 14Gbps(초당 14기가비트)에서 최대 16Gbps까지 지원하며, 이는 전작 HBM4 대비 20% 이상 대폭 향상된 수치이다.

이를 기반으로 해당 HBM4E 1개는 1초에 3.6TB(테라바이트)에 달하는 데이터 이동시킬 수 있는 성능(대역폭)을 갖췄다. 대규모 언어 모델(LLM)과 차세대 AI 시스템의 연산 속도를 극대화 할 수 있는 최고 수준의 성능이다.

아울러 HBM4E 12단 제품은 48GB(기가바이트)의 고용량을 구현해 전작 대비 용량을 30% 이상 늘렸다. 삼성전자는 향후 고객사의 다양한 서비스 환경에 맞춰 32GB(8단), 64GB(16단)까지 제품 라인업을 확대해 나갈 것이라고 밝혔다.

삼성전자가 세계 최초로 출하한 HBM4E 12단 제품 모습. 1c D램과 4나노 로직 다이 적용으로 공정 안정성과 양산성을 동시에 확보했다. 삼성전자 제공

이번 제품에도 전작 HBM4에서 이미 검증된 최선단 공정 기반의 1c(10나노급 6세대) D램과 자체 파운드리 4나노 로직 다이(Die)가 적용됐다. 저전력 설계와 패키징 구조 최적화 기술도 집약돼 전작 대비 에너지 효율은 16%, 열 저항 특성은 14% 이상 크게 개선됐다.

삼성전자는 이번 샘플 공급을 시작으로 고객 일정에 맞춰 양산 공급할 예정이라며 "메모리, 파운드리, 시스템LSI, 첨단 패키징까지 모두 아우르는 유일의 '원스톱 턴키 설루션'을 기반으로 공급 안정성을 결함 없이 확보해 나갈 방침"이라고 밝혔다.

삼성전자 메모리사업부 개발담당 황상준 부사장은 "HBM4 양산 성공에 이어 차세대 HBM4E 샘플 공급까지 차질 없이 완수하며 삼성전자의 독보적인 기술 리더십을 시장에 확실히 각인시켰다"며 "앞으로도 압도적인 기술 초격차와 선제적인 생산 인프라 투자를 바탕으로 글로벌 AI 메모리 시장의 성장을 강력하게 주도할 것"이라고 말했다.

한편 삼성전자는 HBM4도 양산 공급 확대 중이다. 글로벌 고객사들은 삼성 HBM4에 대해 속도와 전력 효율 측면에서 긍정적인 평가를 내놓고 있다. 지난해 12월 삼성전자 HBM4는 최종 인증 단계인 SiP(System in Package) 테스트에서 11.7Gbps의 업계 최고 수준 속도를 입증하며 최고 등급 평가를 받았다.

HBM4E와 동일한 1c D램과 4나노 베이스 다이 조합이 적용된 HBM4가 양산되고 있다는 점에서, 이번에 출하한 HBM4E 역시 양산 전환 가능성이 높다는 관측이 나온다.

※CBS노컷뉴스는 여러분의 제보로 함께 세상을 바꿉니다. 각종 비리와 부당대우, 사건사고와 미담 등 모든 얘깃거리를 알려주세요.

• 이메일 :jebo@cbs.co.kr
• 카카오톡 :@노컷뉴스
• 사이트 :https://url.kr/b71afn

CBS노컷뉴스 박성완 기자 pswwang@cbs.co.kr

진실은 노컷, 거짓은 칼컷