반도체 핵심기술 중국에 빼돌린 삼전 前연구원, 1심 징역 7년

서울 서초구 삼성전자 사옥. /뉴스1

반도체 핵심 기술을 중국 경쟁사에 유출한 혐의로 재판에 넘겨진 삼성전자 전직 연구원이 1심에서 징역형을 선고받았다.

서울중앙지법 형사28부(재판장 한대균)는 22일 산업기술보호법상 국가핵심기술 국외 유출 등 혐의로 구속 기소된 삼성전자 엔지니어 출신 전모(56)씨에게 징역 7년을 선고했다.

재판부는 유출된 기술이 ‘국가핵심기술’에 해당하고, 유출 과정에서 전씨가 공모한 점이 인정된다며 유죄로 판단했다. 재판부는 “우리나라 대기업이 거액과 수많은 연구 인력을 통해 개발한 핵심 정보를 구성원이 취하고 외국에서 사용하게 했다”며 “대기업은 물론 대한민국까지 손실을 입혔기 때문에 엄한 처벌을 할 수밖에 없다”고 밝혔다.

다만 재판부는 “범행 당시 영업비밀 준수에 대한 대기업 측의 충분한 보상이 있었는지는 의문”이라며 이를 유리한 양형 사유로 고려했다.

전씨는 삼성전자 전직 부장 김모씨와 함께 중국 반도체 업체 창신메모리(CXMT)로 이직하는 과정에서 삼성전자가 1조6000억원을 들여 세계 최초로 개발한 18나노 D램 공정 기술을 무단 유출해 사용한 혐의로 지난해 5월 구속 기소됐다. 창신메모리는 중국 지방정부가 2조6000억원을 투자해 설립한 중국 최초의 D램 반도체 기업이다.

전씨는 해당 기술을 넘기는 대가로 계약 인센티브와 스톡옵션 등을 포함해 6년간 약 29억원을 받은 것으로 조사됐다.

앞서 기소된 김씨는 2016년 창신메모리로 이직하며 핵심 공정 기술 자료를 유출한 혐의로 2심에서 징역 6년과 벌금 2억원을 선고받았다. 다만 대법원은 영업비밀 ‘취득·사용·제3자 누설’ 행위를 각각 독립적으로 판단하지 않았다며 사건을 파기환송했고, 현재 서울고법에서 다시 심리 중이다. 김씨의 파기환송심 선고는 오는 23일 오후 2시에 예정돼 있다.