한미반도체, 1000억 투자 하이브리드 본더 공장 가동

오는 2029년 HBM 양산 전환 대비 선제 대응

[아이뉴스24 박지은 기자] 한미반도체가 차세대 고대역폭메모리(HBM) 생산 장비인 ‘2세대 하이브리드 본더’ 프로토타입을 연내 공개한다고 9일 밝혔다.

기존 열압착(TC) 본더 사업을 유지하면서 차세대 공정 대응에도 나선다는 계획이다.

한미반도체의 하이브리드 본더 팩토리 조감도. [사진=한미반도체]

하이브리드 본딩은 칩과 웨이퍼의 구리(Cu)를 직접 접합하는 기술이다. 기존 솔더 범프 방식보다 두께를 줄이고 데이터 전송 속도와 방열 성능을 개선할 수 있다. 업계에서는 20단 이상 고적층 HBM 구현에 필요한 기술로 보고 있다.

현재 HBM4까지는 TC 본딩 공정이 주로 사용되고 있다. 다만 차세대 HBM에서는 적층 수 증가와 성능 요구에 따라 하이브리드 본딩 도입이 확대될 것으로 예상된다.

시장조사업체와 업계에서는 하이브리드 본딩이 본격 적용되는 시점을 2029~2030년으로 보고 있다. 차세대 HBM5 이후 제품에서 적용이 확대될 가능성이 크다는 분석이다.

한미반도체는 이에 맞춰 기술 확보에 나섰다. 회사는 2020년 1세대 HBM용 하이브리드 본더를 출시한 데 이어, 이번 2세대 장비에서는 정밀도와 수율을 개선했다.

국내 장비 업체들과의 협업도 진행 중이다. 플라즈마, 클리닝, 증착 공정 분야에서 기술 개발을 이어가고 있다.

생산 인프라도 확대한다. 한미반도체는 인천 주안국가산업단지에 1000억원을 투자해 하이브리드 본더 전용 공장을 건설 중이다. 내년 상반기 가동이 목표다.

공장에는 ‘100 클래스(Class 100)’ 클린룸이 구축될 예정이다. 나노미터 단위 공정에 맞춘 청정 환경을 확보하기 위한 설비다.

한미반도체는 당분간 TC 본더 사업도 확대할 계획이다. 올해 하반기에는 HBM 다이 면적을 확대한 ‘와이드 TC 본더’를 출시한다. TSV(실리콘관통전극)와 입출력(I/O) 수를 늘려 메모리 용량과 대역폭 확장에 대응하는 장비다.

한미반도체 관계자는 “TC 본더 기술을 기반으로 하이브리드 본더 완성도를 높이고 있다”며 “고객사의 차세대 HBM 양산 시점에 맞춰 장비를 공급할 계획”이라고 밝혔다.

/박지은 기자(qqji0516@inews24.com)