中, 300단 낸드까지 추격… 韓반도체 업계 ‘경고등’

YMTC 올 하반기 양산 돌입
하이닉스 321단·삼성 286단
기존 강자 韓기업 위협적 신호
다른 中 기업도 첨단장비 공개

중국이 올해 하반기 300단 이상의 초고적층 낸드플래시 양산을 예고하면서 국내 메모리 반도체 업계에 경고등이 켜졌다.

D램과 함께 한국 메모리 반도체의 양대 축인 낸드플래시는 막대한 양의 정보를 저장하는 비휘발성 메모리로, 층을 높게 쌓을수록 성능이 좋다.

지금까지 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 기업과 중국 기업 사이에는 최소 1년 이상의 기술 격차가 존재했지만, 올해는 이마저도 사라질 수 있다는 위기감도 커지고 있다.

특히 중국 메모리 기업들은 미래 핵심 산업인 ‘피지컬 인공지능(AI)’에 특화한 메모리 기술을 선보이며 K반도체의 입지를 위협하고 있는 만큼, 국내 업계의 차세대 첨단기술 개발이 시급한 과제로 떠오르고 있다.

27일 대만 디지타임스와 반도체 업계에 따르면 중국 최대 메모리 기업 양쯔메모리(YMTC)는 올해 하반기 300단 이상의 초고적층 낸드 ‘X5-9080’ 양산에 돌입할 예정이다.

현재 SK하이닉스가 321단, 삼성전자가 286단 낸드 제품을 양산 중이라는 점을 고려하면 적층 기술 격차는 사실상 사라지는 셈이다.

앞서 YMTC는 이달 초 294단 낸드를 탑재한 소비자용 솔리드스테이트드라이브(SSD) ‘PC550’을 선보인 바 있다. 반도체 업계 관계자는 “YMTC가 미국의 강력한 견제 속에서도 독자적인 ‘엑스태킹’ 적층 기술을 고도화하며 성과를 내고 있다는 점은 기존 낸드 강자인 삼성전자와 SK하이닉스에도 위협적인 신호”라고 말했다.

또한 YMTC는 중국 우한(武漢)시에 건설 중인 낸드 생산기지의 가동 시점을 내년 상반기에서 올해 하반기로 앞당겼다. 이를 통해 현재 10% 수준인 글로벌 낸드 시장 점유율을 올 연말 16% 수준까지 끌어올리겠다는 계획이다.

YMTC는 연내 중국 증권시장 상장도 검토 중으로 기업 가치는 400억 달러(약 60조 원)를 크게 상회할 것으로 예측된다.

다른 중국의 메모리 기업들은 피지컬 AI 분야에 특화한 첨단 낸드 솔루션을 잇달아 공개하며 메모리 기술력을 끌어올리고 있다. 중국 선전에 기반을 둔 낸드 솔루션 기업 롱시스는 이달 초 독일에서 열린 ‘임베디드 월드 2026’에서 휴머노이드(인간형 로봇)에 특화한 ‘mSSD’를 공개했다. 이 제품은 컨트롤러와 낸드를 단일 칩 패키징으로 통합해 크기를 기존 제품보다 60% 이상 줄여 휴머노이드나 각종 AI 기기에 최적화했다.

바이윈도 지난달 스페인에서 열린 ‘모바일월드콩그레스(MWC) 2026’에서 AI 산업용 SSD인 ‘AP 시리즈’를 선보였다. 이 제품은 전원 공급이 불안정할 수 있는 이동형 로봇이나 거친 공정 자동화 라인에서도 저장 데이터가 손상되지 않도록 하는 기술을 탑재했다.

반도체 업계 관계자는 “낸드 적층 수라는 외형적 지표에서는 이미 중국이 한국을 따라잡은 상황”이라며 “국내 반도체 기업들이 메모리 경쟁력을 유지하기 위해서는 차세대 제품인 고대역폭플래시(HBF)를 비롯한 첨단기술 개발에 속도를 내야 한다”고 말했다.

김호준 기자