황상준 삼성전자 부사장 "HBM 올해 3배 증산… 절반 이상 HBM4로 전환"

AI 수요 대응 HBM 생산 확대… 공급 부족 속 프리미엄 전략 강화
HBM5는 2나노 적용 예고… "선단 공정 불가피"

황상준(왼쪽부터) 삼성전자 메모리개발담당 부사장, 젠슨 황 엔비디아 CEO, 한진만 삼성전자 파운드리 사업부장 사장이 16일(현지시간) 미국 캘리포니아주 새너제이에서 열린 엔비디아 연례 개발자회의 'GTC 2026'에서 기념촬영을 하고 있다. 삼성전자 제공

삼성전자가 인공지능(AI) 데이터센터 수요 확대에 대응해 고대역폭메모리(HBM) 생산을 대폭 확대한다. 올해 생산량을 지난해 대비 3배 이상 늘리는 한편, 차세대 제품인 HBM4 비중을 절반 이상으로 끌어올린다는 전략이다.

AI 반도체 시장이 빠르게 성장하면서 고성능 메모리 수요가 급증한 데 따른 대응으로 풀이된다.

황상준(사진) 삼성전자 메모리개발담당 부사장은 16일(현지시간) 미국 캘리포니아주 새너제이에서 열린 엔비디아 연례 개발자회의 'GTC 2026'에 참석해 "HBM 생산을 가파르게 확대하고 있으며, 공급에는 큰 문제가 없다"고 밝혔다.

황 부사장은 "전체 HBM 가운데 HBM4 비중을 절반 이상으로 가져가는 것이 목표"라며 "공급이 부족한 상황에서는 프리미엄 제품 중심으로 공급하는 것이 산업 전반에도 효율적"이라고 말했다.

특히 AI 학습과 추론에 필요한 고성능 메모리 수요가 집중되면서, 고부가 제품 중심의 공급 전략이 중요해지고 있다는 설명이다.

이어 최근 메모리 수급 불균형과 관련해 "전략적으로 공급해야 하는 파트너와 양산 제품을 공급해야 하는 고객을 구분해 물량을 배분할 수밖에 없다"고 설명했다. 주요 빅테크 고객사 중심으로 물량을 우선 배분하는 전략이 불가피하다는 의미로 해석된다.

차세대 제품 개발 계획도 공개했다. 황 부사장에 따르면 삼성전자는 현재 양산을 시작한 6세대 HBM4와 후속 제품인 HBM4E에 4나노 공정을 적용하고 있으며, 이후 HBM5 및 HBM5E는 2나노 공정 기반으로 개발할 예정이다.

공정 미세화를 통해 성능과 전력 효율을 동시에 끌어올리겠다는 구상이다.

적층 구조의 핵심인 '코어 다이'는 10나노급 1c(6세대), 1d(7세대) 공정을 활용한다. 황 부사장은 "원가 부담이 있더라도 HBM이 요구하는 성능과 구조를 구현하기 위해서는 선단 공정 적용이 불가피하다"고 말했다.

최근 반도체 업계에서는 HBM이 단순 메모리를 넘어 AI 시스템 성능을 좌우하는 핵심 부품으로 자리 잡으면서, 비용보다 성능 경쟁이 더욱 중요해지고 있다는 분석이 나오고 있다.

삼성전자는 주요 고객사의 AI 칩 출시 주기에 맞춰 HBM 역시 1년 단위로 신제품을 선보인다는 계획이다. 엔비디아를 비롯한 주요 고객사들이 매년 신형 AI 가속기를 출시하는 흐름에 대응해, 메모리 역시 빠르게 세대 전환을 추진하겠다는 전략이다.

삼성 파운드리는 AI 반도체 고객사 확보에도 성과를 내고 있다. 시스템 반도체와 메모리를 동시에 공급할 수 있는 '턴키' 역량을 바탕으로 AI 생태계 내 입지를 확대하고 있다는 평가다.

황 부사장은 이날 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)가 "삼성에 감사한다"고 언급한 추론 전용 칩 '그록(Groq)3'의 경우 평택 캠퍼스에서 생산한다고 설명했다. 양산은 올해 3분기 말에서 4분기 초가 목표다. 이미 예상보다 많은 주문이 확보된 상태로, 초기 수요 대응에 속도를 내고 있다.그록3는 칩 면적이 700㎟를 넘는 대형 다이로, 웨이퍼 한 장당 약 64개만 생산되는 구조다. 일반 칩 대비 생산 수량이 크게 적은 대신, 칩 내부의 70~80%를 SRAM으로 구성해 외부 HBM 의존도를 낮추고 고속 추론 성능을 확보한 것이 특징이다.

이는 데이터 이동을 최소화해 지연 시간을 줄이고 전력 효율을 높이기 위한 설계로, AI 추론 특화 구조로 평가된다.

그는 "해당 고객사는 엔비디아와 협력 관계를 맺은 이후에도 삼성과의 생산 협력을 유지하기로 했다"며 "AI 반도체 수요 확대에 따라 다양한 고객사와 협력 기회가 늘어날 것"이라고 말했다.

이상현 기자 ishsy@dt.co.kr