[GTC 2026] 삼성전자-엔비디아, HBM4E 포함 파운드리·스토리지 '토털 솔루션' 구축
AI 반도체 전방위 협력 공식화
삼성전자와 엔비디아가 16일부터 19일까지(현지시간) 미국 새너제이에서 열린 'GTC 2026'을 통해 메모리·파운드리·스토리지를 아우르는 AI 반도체 전방위 협력을 공식화했다.
젠슨 황 엔비디아 CEO는 16일 GTC 기조연설에서 삼성전자를 직접 언급하며 협력 관계를 공개적으로 확인했다. 젠슨 황 CEO는 "삼성이 우리를 위해 그록 3 LPU 칩을 제조하고 있다. 지금 가능한 한 최대한 빠르게 생산을 늘리고 있다. 삼성에게 정말 감사드린다"며 "올해 하반기, 아마 3분기쯤에는 출하가 시작될 것"이라고 밝혔다.
그록 3 LPU는 베라 루빈 플랫폼에 통합돼 메가와트당 최대 35배 높은 추론 처리량을 제공하는 차세대 AI 추론 전용 프로세서다. 황 CEO가 기조연설 무대에서 삼성 파운드리의 생산 역할을 직접 거론한 것은 AI 반도체 공급망에서 양사의 협력이 메모리를 넘어 파운드리 영역까지 확대되고 있음을 공개적으로 확인한 것으로 평가된다.
GTC2026의 핵심 중 하나는 삼성전자가 엔비디아 차세대 AI 슈퍼컴퓨터 플랫폼 '베라 루빈(Vera Rubin)'의 모든 메모리와 스토리지를 적기에 공급할 수 있는 기업임을 선포한 것이다.
삼성전자 전시 부스에는 베라 루빈 플랫폼 실물이 전시됐으며 메모리 공급사 가운데 유일하게 삼성전자만 HBM4·SOCAMM2·PM1763이 모두 탑재된 실물을 선보여 엔비디아와의 긴밀한 협력 관계를 입증했다.
HBM4는 지난 2월 업계 최초로 양산 출하한 6세대 고대역폭 메모리로, 핀당 최대 13Gbps 속도와 3.3TB/s 대역폭을 구현한다. SOCAMM2는 LPDDR5X 기반 차세대 서버용 메모리 모듈로 업계 최초 양산 출하를 시작했다.
베라 CPU에 최적화된 대역폭과 전력 효율도 강점이다. PCIe Gen6 기반 서버용 SSD PM1763은 9세대 V낸드와 4나노 컨트롤러를 탑재해 베라 루빈 플랫폼의 메인 스토리지 역할을 수행하며, 행사장 부스에서 엔비디아 SCADA 워크로드를 직접 시연해 현장에서 성능을 체감할 수 있도록 했다.
삼성전자는 전시에서 'HBM4 히어로월' 을 구성해 차세대 HBM4E 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 세계 최초로 공개했다. HBM4E는 HBM4 양산을 통해 축적한 1c D램(10나노 6세대) 공정 기반의 기술력과 삼성 파운드리 4나노 베이스 다이 설계 역량을 결집한 제품으로, 핀당 16Gbps 속도와 4.0TB/s 대역폭을 지원할 예정이다.
패키징 기술에서도 기존 TCB(열압착 본딩) 대비 열 저항을 20% 이상 개선하고 16단 이상 고적층을 지원하는 HCB(하이브리드 구리 본딩) 기술을 처음 공개했다.
삼성전자는 메모리·파운드리·System LSI·첨단 패키징 역량을 모두 보유한 종합반도체 기업(IDM)으로서, 이번 HBM4 개발 과정에서 1c D램·4나노 로직 베이스 다이·패키징 기술이 긴밀하게 결합되며 사업부 간 협업 모델이 실제 성과로 이어질 수 있음을 입증했다. I-큐브·X-큐브 등 첨단 패키징 기술과 HBM 고적층 구현을 위한 하이브리드 본딩 기술도 선제적으로 개발하고 있다.
반도체 업계에서는 GTC2026에서 드러난 삼성전자-엔비디아 협력이 AI 반도체 경쟁 구도 변화를 보여주는 상징적 장면으로 보고 있다. AI 시스템의 성능은 연산 칩뿐 아니라 고대역폭 메모리·로직 반도체·첨단 패키징이 얼마나 유기적으로 결합되는지에 따라 좌우되는 만큼, 이를 단일 기업 내에서 통합 제공할 수 있는 IDM 구조의 가치가 부각되고 있다는 분석이다.
지난 2월 삼성전자가 엔비디아에 세계 최초로 HBM4를 양산 출하한 데 이어 GTC 현장에서 황 CEO가 삼성 파운드리의 그록 3 LPU 생산을 직접 언급하면서 AI 반도체 생태계에서 메모리와 파운드리를 아우르는 삼성전자의 파트너십 위상이 한층 높아졌다는 평가가 나온다.
젠슨 황 CEO는 "젠슨 황 CEO는 "그록 3을 비롯한 삼성전자의 칩들이 이미 생산 단계에 들어갔다"며 "공급 확대를 위해 생산을 빠르게 늘리고 있다"고 기조연설에서 설명했다.