HBM4E 실물 공개한 삼성… 엔비디아와 AI 동맹 강화

미국서 열린 GTC에 참가해 HCB 기술 등 홍보
엔비디아 갤러리 별도 구성 양사 파트너십 강조

삼성전자가 16일(현지시간)부터 19일까지 미국 새너제이에서 열리는 엔비디아 GTC에서 차세대 HBM4E를 공개한다. <삼성전자 제공>

삼성전자가 16일(현지시간)부터 19일까지 미국 새너제이에서 열리는 엔비디아 GTC에 참가해 차세대 HBM4E 기술력과 Vera Rubin 플랫폼을 구현하는 세계 유일의 메모리 토털 솔루션을 선보이며 글로벌 AI리더십을 한층 강화한다.

삼성전자는 이번 전시에서 'HBM4 Hero Wall'을 통해 HBM4부터 핵심 경쟁력으로 떠오른 메모리 로직 설계 파운드리 첨단 패키징을 아우르는 종합 반도체 기업만의 강점을 부각했으며, '엔비디아 갤러리'를 통해서는 AI 플랫폼을 함께 완성해 나가는 양사의 전략적 파트너십을 강조했다.

삼성전자는 전시 공간을 AI 팩토리(AI Data Center), Local AI(0n-device AI), Physical AI 등 3개의 존으로 구성해, 기술력을 공식적으로 인정받은 GDDR7, LPDDR6, PM9E1 등 차세대 삼성 메모리 아키텍처를 소개했다.

먼저 삼성전자는 이번 전시에서 HBM 기술 리더십을 가장 먼저 조명할 수 있도록 전시 동선을 구성했다.

HBM4 양산을 통해 축적한 1c D램 공정 기반의 기술 경쟁력과 삼성 파운드리 4나노 베이스 다이 설계 역량을 바탕으로 차세대 HBM4E 개발을 가속화하고 있는 삼성전자는 HBM4E 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 최초로 공개했다.

삼성전자 HBM4E는 메모리, 자체 Foundry와 로직 설계 역량, 그리고 첨단 패키징 기술 등 부문 내 모든 역량을 결집한 최적화 협업을 통해 핀당 16Gbps 속도와 4.0TB/s 대역폭을 지원할 예정이다.

아울러 삼성전자는 영상을 통해 TCB 대비 열 저항을 20% 이상 개선하고 16단 이상 고적층을 지원하는 HCB 기술을 공개하며, 차세대 HBM을 위한 삼성전자의 패키징 기술 경쟁력을 강조했다.

또 Vera Rubin 플랫폼에 탑재될 HBM4 칩과 파운드리 4나노 베이스 다이 웨이퍼를 전면에 배치해, 차세대 칩을 구현하는 삼성의 HBM 라인업을 한눈에 확인할 수 있도록 했다

특히 삼성전자는 이번 전시를 통해 전 세계에서 유일하게 엔비디아 Vera Rubin 플랫폼의 모든 메모리와 스토리지를 적기에 공급할 수 있는 메모리 토털 솔루션 역량을 부각했다.

삼성전자는 '엔비디아 갤러리'를 별도로 구성해 ▶Rubin GPU용 HBM4 ▶Vera CPU용 SOCAMM2 ▶스토리지 PM1763을 Vera Rubin 플랫폼과 함께 전시해, 양사의 협력을 강조했다.

한편, 삼성전자 SOCAMM2는 LPDDR 기반 서버용 메모리 모듈로 품질 검증을 완료하고 업계 최초로 양산 출하를 시작했다. 

삼성전자 PCIe Gen6 기반 서버용 SSD PM1763은 Vera Rubin 플랫폼의 메인 스토리지로, 삼성전자는 부스 내에서 PM1763이 탑재된 서버를 통해 엔비디아 SCADA 워크로드를 직접 시연해 사양 소개를 넘어 업계 최고 수준의 성능을 현장에서 체감할 수 있도록 했다.

또 추론 성능과 전력 효율 개선을 위해 Vera Rubin 플랫폼에 새롭게 도입된 CMX 플랫폼에 PCIe Gen5 기반 서버용 SSD PM1753을 공급할 계획이다. 

이세용 기자 lsy@kihoilbo.co.kr