“삼성은 세계 최고”…젠슨 황 ‘그록3’ 파운드리·HBM 동맹 공식화

젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)와 황상준 삼성전자 메모리 개발담당 부사장(왼쪽), 한진만 파운드리 사업부장(오른쪽)이 16일(현지시간) 미국 캘리포니아 새너제이에서 열린 ‘GTC 2026’ 삼성전자 전시 부스에서 기념촬영을 하고 있다. 삼성전자.

젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)가 삼성전자를 차세대 AI 칩 생산의 핵심 파트너로 공식 지목하며 양사의 전략적 동맹을 선언했다.

삼성전자는 HBM4E 기술력과 엔비디아의 베라 루빈 플랫폼을 구현하는 메모리 토털 솔루션을 유일하게 공급할 수 있는 역량을 앞세워 글로벌 AI 리더십을 한층 강화한다는 전략이다.

젠슨 황 CEO는 16일(현지시간) 미국 캘리포니아주 새너제이에서 열린 'GTC 2026' 기조연설 도중 삼성전자를 직접 언급하며 감사의 뜻을 표했다. 핵심은 엔비디아의 최신 언어처리장치(LPU)인 '그록(Groq)3'다.

황 CEO는 "삼성이 우리를 위해 그록3 칩을 제조하고 있으며, 현재 최대한 빠르게 생산량을 늘리는 중"이라며 "삼성에게 정말 감사드린다"고 말했다.

그록3는 엔비디아의 차세대 GPU 시스템인 '베라 루빈(Vera Rubin)'에 탑재돼 AI 추론 효율을 극대화하는 역할을 맡는다.

업계에서는 이번 발언으로 삼성전자가 단순 메모리 공급처를 넘어 선단 공정 파운드리 파트너로서의 입지를 확고히 굳혔다고 평가한다.

삼성전자는 같은 날 전시장에서 메모리 기술력도 전면에 내세웠다. 7세대 HBM인 'HBM4E'의 실물 칩과 핵심 부품 '코어 다이(Core Die)' 웨이퍼를 업계 최초로 선보인 것이다. SK하이닉스와 마이크론 등 경쟁사들이 6세대(HBM4) 양산에 집중하는 사이, 한발 앞서 차세대 규격을 공개하며 기술 주도권을 과시했다.

올 하반기 샘플 출하 예정인 HBM4E는 초당 16Gbps(초당 기가비트)의 전송 속도와 4.0TB/s의 대역폭을 구현한다. HBM4 대비 전송 속도는 약 23%, 대역폭은 21% 향상된 수치다. 삼성은 자사의 10나노급 6세대(1c) D램 공정과 4나노 파운드리 로직 공정을 결합한 '원스톱 솔루션'으로 이 같은 스펙을 달성했다.

압도적인 성능 수치만큼 주목받은 것은 발열 제어 기술이었다. 차세대 패키징 기술인 '하이브리드 구리 접합(HCB)'은 기존 열압착접합(TCB) 방식보다 열 저항을 20% 이상 줄여, 엔비디아가 요구하는 고성능·저발열 기준을 충족했다.

한편 젠슨 황 CEO는 이날 GTC에 참가한 삼성전자와 SK하이닉스 전시장을 방문하며 "세계 최고", "완벽" 등의 찬사를 남겼다.

그는 삼성전자 전시장을 찾아 조상연 DSA 총괄 부사장에게 양사 관계에 대해 "훌륭한 파트너십"이라며 "삼성은 세계 최고"라고 상찬했다.

조 부사장이 젠슨 황 CEO에게 최근 양산을 시작한 '고대역폭메모리(HBM)4'의 코어다이를 내보이며 "이것이 현존하는 세계 최고의 HBM4"라고 소개하자, 젠슨 황 CEO는 "승인해야겠습니다. 승인이 필요하신가요?"라고 물으며 제품에 서명했다.

그는 이어 삼성 파운드리(반도체 수탁생산)에서 제조하는 추론 전용 그록(Groq) 칩의 웨이퍼와, 베라루빈 플랫폼에도 연달아 서명했다.

젠슨 황 CEO는 서명과 환담을 마치고는 "가자(Go), 삼성"이라고 외치며 "다음이 다가오고 있다. 아이디어가 더 많이 생겼다"고 말하며 전시장을 나섰다.

이어 SK하이닉스 전시장을 방문해 최태원 SK그룹 회장과 만나 "여러분들은 완벽하다"며 "당신들이 자랑스럽다"고 덕담을 건넸다.

김영은 기자 kye0218@hankyung.com