삼성전자, 'LLM 환경' AI 연산 인프라·반도체 공정 기술 중국 특허 다수 확보

2월 中 특허 483건 승인
LLM 학습·반도체 패키징·전고체 배터리 등 미래 기술 특허 집중
전년 대비 감소했지만 2024년보다 증가…차세대 기술 축적 지속

[더구루=정예린 기자] 삼성이 2월 중국에서 400건이 넘는 특허를 승인받으며 인공지능(AI) 연산 인프라와 반도체 공정, 전고체 배터리 등 차세대 핵심 기술을 확보했다. 생성형 AI와 차세대 배터리 경쟁이 본격화되는 가운데 반도체·AI·배터리 분야 기술 기반을 넓히며 미래 산업 경쟁력 강화에 속도를 낼 것으로 전망된다. 

10일 중국 국가지적재산권국(CNIPA)에 따르면 CNIPA는 지난달 삼성전자와 삼성디스플레이, 삼성SDI, 삼성전기, 삼성화재 등이 지난 2019년부터 작년 12월까지 출원한 특허 483건을 승인했다. 이는 작년 같은달 승인 건수(665건) 대비 약 27.4% 감소했지만 2024년 2월 승인된 463건과 비교하면 약 4.3% 증가한 규모다.

승인 절차는 총 7일에 걸쳐 진행됐다. 삼성전자가 관계사 가운데 가장 많은 279건의 특허를 확보했다. △삼성디스플레이(103건) △삼성SDI(81건) △삼성전기(18건) △삼성화재(2건) 등이 뒤를 이었다. 

삼성전자는 AI 연산 인프라와 반도체 공정 기술을 중심으로 특허를 확보했다. 특히 대형언어모델(LLM) 학습 환경과 데이터센터 연산 효율을 겨냥한 기술이 포함됐다.

'이기종 LLM 학습을 위한 메모리 인식형 부하 균형 메커니즘(특허번호 CN121478458A)'과 '이기종 GPU 클러스터에서 균형 잡힌 LLM 학습을 위한 하드웨어 인식 스케줄링 및 데이터 오케스트레이션(특허번호 CN121478428A)'은 서로 다른 GPU 환경에서 대형 언어모델 학습을 효율적으로 분산 처리하는 구조를 제시한다. GPU 자원과 메모리 사용을 최적화해 AI 학습 효율을 높이기 위한 인프라 기술로 볼 수 있다.

반도체 공정과 패키징 기술 확보도 이어졌다. '활성 패턴 사이에 공기층을 포함하는 반도체 장치(특허번호 CN121487243A)'는 반도체 내부 구조에 공기층을 형성해 전기적 간섭을 줄이는 기술이다. '반도체 패키지 및 이를 포함하는 적층 패키지(특허번호 CN121532049A)'는 칩 적층 구조와 패키징 공정을 개선하는 기술로 집적도와 성능 향상에 활용될 수 있다.

차세대 디바이스 구조 기술도 확보했다. '플렉시블 인쇄회로기판을 포함하는 폴더블 전자 장치(특허번호 CN121533003A)'와 '외부 이물 유입을 줄이기 위한 폴더블 전자 장치(특허번호 CN121532731A)'는 폴더블 기기의 구조 안정성과 내구성을 개선하는 기술이다.

삼성디스플레이는 차세대 디스플레이 구조와 검사 기술을 확보했다. '입체 영상 표시 장치 및 이를 포함하는 전자 장치(특허번호 CN121454803A)'는 입체 영상을 구현하는 디스플레이 구조를 다룬다. 3차원 영상 표현이 필요한 증강현실(AR)·가상현실(VR) 기기나 차세대 디스플레이 장치에 활용 가능하다. 

또 '연장 구조를 갖는 실리콘 반도체층을 포함하는 디스플레이 패널 및 이를 포함하는 전자 장치(특허번호 CN121463530A)'와 '디스플레이 패널을 검출하는 방법 및 장치(특허번호 CN121499014A)'를 확보했다. 디스플레이 구조 설계와 패널 검사 기술로 생산 공정 품질 향상과 관련된다.

삼성SDI는 전고체 배터리 구조 설계와 배터리 운용 기술을 특허로 확보했다. '전고체 배터리용 복합 기판, 음극 및 이를 포함하는 전고체 배터리(특허번호 CN121528916A)'는 전극과 기판 구조를 개선해 전고체 배터리의 안정성과 에너지 밀도를 높이기 위한 설계다. 전해질과 전극 사이의 접촉 특성을 개선해 충방전 효율을 높이는 구조로, 차세대 전기차 배터리 상용화와 직결된다.

울산에 본사를 둔 배터리 장비 기업 티엠프라자(TMPlaza)와 공동으로 '이차전지 충·방전 장치 및 충·방전 방법(특허번호 CN121461549A)' 특허도 승인받았다. 티엠프라자는 배터리 시험 장비와 전력 장치 기술을 개발하는 회사다.

삼성전기는 전자부품과 차세대 에너지 장치 관련 특허를 손에 넣었다. '적층 세라믹 커패시터 및 그 제조 방법(특허번호 CN121506748A)'은 MLCC의 적층 구조와 제조 공정을 개선해 부품 소형화와 전기적 안정성을 높이는 데 기여한다. '전고체 배터리(특허번호 CN121511515A)'와 '고체산화물 전지 스택 고정 장치 및 이를 이용한 고체산화물 반응 장치(특허번호 CN121569379A)' 특허도 승인 목록에 포함됐다.