中 반도체 업계 "노광 장비 5년 안에 독자 개발해야" 촉구

2026~2030년 통합 노광 체계 구축 제안
7나노 이하 美 규제 속 기술 자립 강조
EDA·기초소재도 국가 차원 대응 필요

[아이뉴스24 권서아 기자] 중국 주요 반도체 기업 수장들이 향후 5년간 노광(리소그래피) 장비 독자 개발을 위해 국가 차원의 총력 지원이 필요하다고 촉구했다고 최근 로이터통신이 보도했다.

이에 따르면 지난 5일(현지시간) 자오진룽 나우라 테크놀로지 그룹 회장, 천난샹 양쯔메모리테크놀로지(YMTC) 회장 겸 사장, 류웨이핑 엠피리언 테크놀로지 회장 등은 이 문제와 관련해 중국 과학기술 전문지 '과학기술평론'(Science and Technology Review)에 공동 기고문을 실었다.

중국 국기와 반도체 칩이 장착된 인쇄회로기판(PCB) 위에 작업자 모형이 놓여 있다. [사진=로이터]

이들은 기고문에서 2026~2030년 제15차 5개년 계획 기간 동안 실질적으로 작동 가능한 노광 시스템을 구축해야 한다며, 정부가 국가 자원을 통합해 기술 개발을 지원해야 한다고 강조했다.

이들은 "ASML의 극자외선(EUV) 장비는 5000개 공급업체가 제공하는 10만 개 부품으로 구성되며, ASML은 이를 통합하는 역할을 한다"며 "중국판 ASML을 어떻게 구축할 것인지, 자금과 인력을 통합적으로 배분할 실행 계획을 즉각 마련해야 한다"고 밝혔다.

네덜란드 기업 ASML은 첨단 반도체 생산에 필수적인 EUV 노광장비를 독점 공급하는 업체다.

ASML 홀딩의 EUV 노광 장비 [사진=ASML 홈페이지 갈무리]

EUV 장비는 7나노(㎚·10억분의 1m) 이하 미세 공정 구현에 필요한 핵심 설비로, 스마트폰·인공지능(AI)·고성능 컴퓨팅용 칩 생산에 활용된다.

중국은 미국의 수출 통제로 EUV 장비는 물론 일부 심자외선(DUV) 장비 도입도 제한받고 있다.

미국은 2020년 이후 7나노 이하 첨단 공정 확장을 차단하기 위해 관련 장비 수출을 규제해왔다.

기고문은 중국이 EUV 광원, 웨이퍼 스테이지, 광학 시스템 등 개별 기술 분야에서는 진전을 이뤘지만, 이를 하나의 완전한 시스템으로 통합하는 것이 여전히 과제라고 지적했다.

전자설계자동화(EDA) 소프트웨어와 실리콘 웨이퍼, 전자 가스 등 기초 소재 분야 역시 국가 차원의 조정이 필요한 병목 영역으로 꼽았다.

로이터는 이번 제안이 기술 자립을 강화하려는 중국 정부 기조와 맞닿아 있다고 분석했다.

중국은 최근 정부 업무보고에서 반도체를 항공·생명공학·저고도 경제 등과 함께 신흥 산업의 핵심 축으로 지정했다.

한편 기고문에 따르면 중국은 28나노 이상 성숙 공정 분야에서는 글로벌 생산능력의 33%를 차지하고 있으며, 해당 영역은 제조와 설계 모두에서 미국 규제를 받지 않고 있다.

/권서아 기자(seoahkwon@inews24.com)