D램값 1년 만 10배 치솟았다…변수는 중국

1분기도 전 분기보다 2배 오를 듯
낸드플래시도 34% 급등
이란 공급 등 국제정세 불확실성 변수

삼성전자 천안캠퍼스에서 지난달 12일 고대역폭 메모리(HBM)의 6세대 제품 HBM4의 양산 초도 물량이 트럭에 실려 밖으로 나가고 있다. 삼성전자 제공

D램 가격이 결국 11개월여 만에 결국 10배로 치솟았다. 사상 유래없는 상승세로, 2018년 반도체 ‘슈퍼사이클’ 당시와도 비교가 안되는 수준이다. 일부 PC용 제품군은 올 1분기에만 전 문기 대비 2배가량 치솟을 것이라는 예상도 나왔다.

업계에서는 최소한 올해 말까지는 가격 추가 상승세가 이어질 것으로 보면서도, 다만 중국 정부의 공격적인 투자를 앞세운 자급률 상승이 변수로 지목된다.

1일 시장조사업체 D램익스체인지에 따르면 2월 PC용 D램 범용 제품(DDR4 8Gb 1Gx8)의 평균 고정거래가격은 13.00달러로, 전월(11.50달러) 대비 13.04% 상승했다.

작년 3월 말 1.35달러를 기록했던 것과 비교하면 거의 10배로 늘어난 숫자다. 상승세는 작년 4월부터 11개월째이며, 2016년 6월 조사가 시작된 이래 최고치다.

고사양 D램 가격도 가파르게 치솟았다. 16GB DDR5 모듈의 평균 가격은 140달러로, 전월 대비 3~8%, 전분기 대비 113~118% 각각 상승했다. PC용 D램 가격의 경우 전분기 대비 110~115% 치솟았다.

트렌드포스는 “여러 분기 계속된 가격 상승 이후 현재 현물 가격은 구매자와 판매자 모두에게 만족스러운 균형점에 도달했다”며 “가격은 현재 수준에서 안정되고 향후 상승세는 둔화할 가능성이 높다”고 설명했다.

메모리카드·UBS용 낸드플래시 범용제품(128Gb 16Gx8 MLC) 역시 2월 평균 고정거래가격은 12.67달러로, 전월(9.46달러) 대비 33.91% 급등했다. 14개월 연속 상승세다.

트렌드포스는 “AI 엣지 컴퓨팅과 자동차 애플리케이션 수요가 지속되면서 시장 불균형이 올해 하반기까지 이어질 수 있다”며 “낸드플래시 가격은 올해 상반기 내내 견조한 흐름을 유지할 것”이라고 밝혔다.

업계에서는 D램 가격의 가격 상승세가 낸드플래시로 옮겨질 가능성에 주목하고 있다. 주요 반도체 제조업체들이 고대역폭메모리(HBM) 수요 대응을 위해 D램 생산량을 집중해 늘리려 한 데 비해, 상대적으로 낸드플래시의 증산에는 그만큼 공을 들이진 않아서다.

업계에서는 향후 메모리 가격의 상승세가 이어질 것으로 내다보면서도, 최근 미국과 이스라엘의 이란 공습 등 국제정세 불확실성과 중국의 반도체 자급률 확대 움직임이 상승세에 제동을 걸 변수가 될 것으로 보고 있다.

업계에 따르면 중국 최대 D램 제조사인 창신메모리테크놀로지(CXMT)는 올해 D램 생산 능력을 연간 30만 장 수준으로 늘리는데, 이 가운데 20% 가량을 HBM용 고사양 D램이 될 것으로 보인다. CXMT는 올해 HBM3 양산에 돌입하며 삼성전자와 SK하이닉스 등과의 격차를 3년 차로 줄였다.

박정일 기자 comja77@dt.co.kr