SK하이닉스 ‘커스텀 HBM’ 승부수

서종갑 기자 2026. 2. 20. 16:52
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SK하이닉스(000660)가 미국에서 반도체 설계와 패키징 전문 인력을 잇따라 영입하며 '기술 내재화'에 속도를 내고 있다.

반도체 업계의 한 관계자는 "HBM4E 이후부터는 메모리가 단순 저장장치를 넘어 시스템의 일부로 통합될 것"이라며 "SK하이닉스가 반도체 설계와 후공정 전반에 걸친 역량을 강화해 빅테크 고객사들에 '토털 솔루션'을 제안하려는 전략적 행보로 보인다"고 말했다.

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美서 설계·패키징 전문인재 영입
맞춤형 메모리 대비 기술 내재화
빅테크 고객에 토털 솔루션 제공
경기도 이천시 SK하이닉스 본사. 연합뉴스


SK하이닉스(000660)가 미국에서 반도체 설계와 패키징 전문 인력을 잇따라 영입하며 ‘기술 내재화’에 속도를 내고 있다. 7세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM4E부터 본격화할 맞춤형(커스텀) 메모리 시대를 대비하는 것으로 알려졌다.

20일 업계에 따르면 SK하이닉스 미주 법인은 최근 새너제이(San Jose) 연구개발(R&D) 센터에서 근무할 ‘AI 메모리 솔루션 아키텍트’ 직군을 채용 중이다.

이번 채용에서 눈에 띄는 대목은 레지스터 전송 레벨(RTL) 설계와 시스템온칩(SoC) 아키텍처 이해도를 필수 역량으로 꼽은 점이다. RTL은 시스템반도체의 논리 회로를 설계하는 언어다. 통상 메모리 기업보다는 반도체 설계 전문업체(팹리스)나 위탁생산(파운드리) 기업에서 주로 찾는 인재다.

업계는 이를 맞춤형 HBM 수요에 SK하이닉스가 선제 대응하기 위한 조치로 해석한다. HBM4E부터는 메모리 적층의 맨 아래에 위치해 그래픽처리장치(GPU)와 신호를 주고받는 베이스 다이(Base Die)의 역할이 HBM4 대비 한층 중요해진다. 고객사 요청에 따라 연산 기능을 추가적으로 강화하거나 전력 효율을 높이는 등 보다 정밀한 맞춤형 로직 공정이 적용돼야 하기 때문이다.

업계 관계자는 “SK하이닉스가 자체적으로 RTL 설계 역량을 갖춰 파운드리 파트너인 TSMC와 협업을 정교화하려는 것으로 보인다”며 “장기적으로는 독자적인 기술 최적화를 꾀할 수도 있다”고 평했다.


미 인디애나주 웨스트라피엣에 들어설 생산 기지 또한 패키징 자립의 전초기지가 될 것으로 전망된다. SK하이닉스는 이곳에서 근무할 시스템인패키지(SiP) 기술 담당자를 찾고 있다. SiP는 서로 다른 종류의 반도체를 하나로 묶어 단일 제품처럼 작동하게 만드는 기술이다.

특히 이번 인재 수혈은 엔비디아의 GPU와 SK하이닉스의 HBM을 하나의 기판 위에 정밀하게 결합하는 이종 집적 기술 고도화에 초점이 맞춰져 있다. 그동안 TSMC의 칩 온 웨이퍼 온 서브스트레이트(CoWoS) 공정에 전적으로 의존하던 패키징 과정을 내재화하거나 적어도 CoWoS 기술에 대응할 수 있는 기술력을 구축하려는 시도로 읽힌다.

반도체 업계의 한 관계자는 “HBM4E 이후부터는 메모리가 단순 저장장치를 넘어 시스템의 일부로 통합될 것”이라며 “SK하이닉스가 반도체 설계와 후공정 전반에 걸친 역량을 강화해 빅테크 고객사들에 ‘토털 솔루션’을 제안하려는 전략적 행보로 보인다”고 말했다.

세계 최대 정보기술(IT)·가전 전시회 ‘CES 2026’이 열린 미국 네바다주 라스베이거스 베네치안호텔에 마련된 SK하이닉스 전시관에서 프레스투어 참석자가 HBM4 48G 16Hi를 촬영하고 있다. 뉴스1


서종갑 기자 gap@sedaily.com

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