삼성전자, HBM4 양산 출하 개시…세계 최초·최고 성능

삼성전자가 인공지능(AI) 산업 핵심 부품인 고대역폭 메모리(HBM)의 6세대 제품 HBM4의 양산 출하를 세계 최초로 시작했습니다.

이전 세대 HBM 경쟁에서 밀리면서 반도체 사업 위기론까지 불거졌던 삼성전자는 이번 HBM4를 먼저 출하하면서 차세대 메모리 시장에서 경쟁력 회복을 꾀하고 있습니다.

삼성전자는 오늘(12일) 업계 최고 성능의 HBM4를 세계 최초로 양산 출하했다고 밝혔습니다.

애초 삼성전자는 이번 설 연휴 직후 HBM4의 양산 출하를 시작할 예정이었지만, 고객사와 협의를 거쳐 일정을 1주일가량 앞당긴 것으로 알려졌습니다.

삼성전자는 HBM4 개발 착수 때부터 국제반도체 표준협의기구(JEDEC) 표준을 능가하는 성능을 목표로 정했습니다.

이에 따라 최선단 공정 1c D램(10나노급 6세대)을 선제적으로 도입해 재설계 없이 양산 초기부터 최고 수준의 성능을 확보했습니다.

삼성전자 메모리개발담당 황상준 부사장은 "삼성전자 HBM4는 기존에 검증된 공정을 적용하던 전례를 깨고 1c D램 및 파운드리 4나노와 같은 최선단 공정을 적용했다"며 "공정 경쟁력과 설계 개선을 통해 성능 확장을 위한 여력을 충분히 확보함으로써 고객의 성능 상향 요구를 적기에 충족할 수 있었다"고 말했습니다.

삼성전자는 HBM4 기술 경쟁력 강화를 위해 1c D램을 적용하는 한편, HBM 적층 구조 하단에서 전력·신호를 제어하는 기반 칩인 '베이스 다이'의 특성을 고려해 성능과 전력 효율 측면에서 유리한 4나노 공정을 적용했습니다.

그 결과 JEDEC 업계 표준인 8Gbps를 약 46% 상회하는 11.7Gbps(초당 기가비트)의 동작 속도를 안정적으로 확보하며, HBM4 성능의 새로운 기준을 제시했습니다고 회사 측은 밝혔습니다.

이는 직전 세대 HBM3E의 최대 속도인 9.6Gbps 대비 약 1.22배 향상된 수치고, 최대로는 13Gbps까지 구현이 가능해 AI 모델 규모가 커질수록 심화하는 데이터 병목을 효과적으로 해소할 수 있다고, 삼성전자는 설명했습니다.

아울러 삼성전자 HBM4는 단일 스택 기준 총 메모리 대역폭을 전작 HBM3E 대비 약 2.7배 향상된 최대 3.3TB/s 수준으로 끌어올려 고객사 요구 수준인 3.0TB/s를 상회하는 성능을 확보했습니다.

또한 12단 적층 기술을 통해 24~36GB의 용량을 제공하며, 고객사의 제품 일정에 맞춰 16단 적층 기술을 적용해 최대 48GB까지 용량을 확장할 계획입니다.

삼성전자는 전력 소모와 열 집중 문제를 해결하기 위해 코어 다이에 저전력 설계 기술을 적용해 전 세대 대비 에너지 효율을 약 40% 개선했습니다. 열 저항 특성은 약 10%, 방열 특성은 약 30% 개선했습니다.

이로써 연산 성능을 극대화하면서도 서버 및 데이터센터의 전력 소모와 냉각 비용을 크게 절감할 수 있게 했다는 게 삼성전자 측 설명입니다.

[사진 출처 : 연합뉴스 / 삼성전자 제공]

■ 제보하기
▷ 전화 : 02-781-1234, 4444
▷ 이메일 : kbs1234@kbs.co.kr
▷ 카카오톡 : 'KBS제보' 검색, 채널 추가
▷ 카카오 '마이뷰', 유튜브에서 KBS뉴스를 구독해주세요!

송락규 기자 (rockyou@kbs.co.kr)