반도체 전시회서 만난 삼성전자·SK하이닉스…“HBM4 기술 우리가 주도할 것”

삼성전자와 SK하이닉스가 11일 양산 출하를 앞둔 자사 6세대 고대역폭메모리(HBM4)에 대해 자신감을 보였다. 마이크론의 HBM4 납품 지연 전망으로 초기 HBM4 공급 경쟁이 삼성·SK ‘2파전’으로 좁혀진 가운데, 두 회사는 차세대 HBM 기술 혁신을 주도하겠다는 구상도 밝혔다.

이날 서울 강남구 코엑스에서 열린 국내 최대 규모 반도체 전시회 ‘세미콘코리아 2026’에는 삼성전자와 SK하이닉스에서 HBM4 개발을 담당하는 임원들이 나란히 참석했다.

송재혁 삼성전자 디바이스솔루션(DS) 부문 최고기술책임자(CTO) 사장은 기조연설에서 삼성전자가 메모리 기술과 파운드리, 패키징 역량을 모두 갖고 있다는 점을 강조하며 “통합적인 AI 시스템 아키텍처”를 통한 “코옵티마이제이션(Co-optimization·공동 최적화)” 달성을 목표로 제시했다.

송재혁 삼성전자 최고기술책임자(CTO) 사장이 11일 서울 강남구 코엑스에서 열린 ‘세미콘코리아 2026’에서 기조연설을 하고 있다. 연합뉴스

설 연휴 이후 업계 최초로 양산 출하 예정인 삼성전자 HBM4는 최선단인 1c(10나노급 6세대) D램 공정과 4나노 파운드리 공정을 적용해 데이터 처리 속도 등을 크게 끌어올렸다. 송 사장은 연설에 앞서 취재진과 만나 “세계에서 가장 좋은 기술력으로 대응했던 삼성의 원래 모습을 보여주는 것”이라고 말했다.

송 사장은 올해가 피지컬AI 시대로 접어드는 원년이 될 것이라며, 성능과 전력 효율을 극대화한 차세대 HBM 기술도 언급했다. 고객사 맞춤형 c(커스텀)HBM, 그래픽처리장치(GPU)·중앙처리장치(CPU) 칩 위에 HBM을 수직으로 쌓는 zHBM이 그것이다. 송 사장은 zHBM이 대역 폭과 전력 효율을 HBM4 대비 4배 높일 것이라고 설명했다. 또 차세대 HBM 개발을 위해 칩과 칩을 직접 접합하는 핵심 패키징 기술 하이브리드 코퍼 본딩(HCB)을 도입하겠다고도 했다.

뒤이어 기조연설에 나선 이성훈 SK하이닉스 R&D(연구·개발) 공정 담당 부사장은 메모리 반도체 산업이 “기술 변곡점”을 맞았다며 기술 혁신과 AI 기반 협업 생태계 구축의 중요성을 강조했다.

이 부사장은 “현재 메모리 업계에서 D램은 10나노급 초미세 공정에 진입했고 낸드는 초고적층 경쟁으로 인해 기술 난도가 급격히 올라가고 있다”면서 SK하이닉스가 개발 주기를 유지하기 위해 여러 세대 제품에 적용될 수 있는 ‘테크 플랫폼’ 개념을 도입했다고 소개했다. 이 부사장은 동시에 AI 기반 R&D로의 전환을 통해 기술 변곡점에 대응한 체질 개선이 필요하다고 말했다. 그는 AI 기술을 도입해 신소재 탐색 시간을 400분의 1 수준으로 줄이고, 엔비디아와의 공정 협력 과정에서 실험 횟수도 10분의 1로 줄였다고 말했다.

이 부사장은 또한 생태계 내 기업들이 서로 정보를 공유하는 ‘통합 AI 생태계’를 제시하며 “SK하이닉스는 협력사와 AI 생태계를 구축하고 기존 협업 체계와 유기적으로 결합해 기술적 한계를 극복하며 미래 반도체 시장을 선도해 나갈 것”이라고 강조했다.

4세대 및 5세대 HBM(HBM3·HBM3E)을 사실상 엔비디아에 독점 공급했던 SK하이닉스는 현재 HBM4 최적화 단계를 거의 마무리하고 양산 출하를 준비 중인 것으로 알려졌다. 최태원 SK그룹 회장은 지난 5일(현지시간) 미국 샌프란시스코의 한 치킨집에서 젠슨 황 엔비디아 최고경영자와 ‘치맥’ 회동을 하며 HBM4의 안정적인 공급에 대한 공감대를 형성한 것으로 알려졌다.

이성훈 SK하이닉스 R&D(연구·개발) 공정 담당 부사장. SK하이닉스 뉴스룸

김유진 기자 yjkim@kyunghyang.com