中 반도체 급부상…CXMT, HBM3 대규모 양산 시작

CXMT 허페이 본사 전경. [출처=CXMT]

중국이 반도체 기술 격차를 줄이며 고대역폭메모리(HBM) 추격에 속도를 내고 있다.

9일 반도체 업계에 따르면 중국이 HBM 4세대 제품 HBM3의 대규모 양산을 올해 시작하는 것으로 알려졌다. 중국의 D램 최대 업체 CXMT 창신메모리(CXMT)는 올해 D램 생산능력을 월간 웨이퍼 30만장으로 확장할 예정이다.  이 가운데 20%를 HBM3 생산에 투입한다.

한국 기업들은 2023년 HBM3 양산을 시작했다. 양국 간 격차는 HBM3 이전 세대에서 4년이었으나 HBM3 들어서는 3년으로 좁혀졌다. 삼성전자와 SK하이닉스의 HBM용 D램 웨이퍼 투입량은 각각 15만장 내외로 추정된다.

HBM은 기술 격차가 1년 정도로 좁혀진 낸드플래시 메모리, 2년 정도로 추정되는 D램에 비하면 중국 반도체와 기술 격차가 뚜렷했던 분야다. 하지만 중국 정부의 우대 정책이 기술력을 빠르게 끌어올렸다는 분석이 나온다. CXMT는 웨이퍼당 비트(Bit) 생산량이 적고 수율이 낮은 것으로 알려졌으나 중국 정부 지원에 힘입어 화웨이와 손잡고 HBM 개발에 힘쓰고 있다.

최근 메무리 수급난이 이어지는 가운데 중국의 기술 격차가 줄어들면서 미국 테크기업들도 중국 메모리 반도체 사용을 진지하게 검토하는 것으로 알려졌다. 중국산 메모리 채택 비율이 높아질 경우 삼성전자, SK하이닉스 등 한국 반도체 기업의 점유율과 수익성에 영향이 불가피할 전망이다.

삼성전자와 SK하이닉스도 중국의 기술 추격을 따돌리기 위해 보폭을 넓히고 있다. 삼성전자는 이달부터 엔비디아 차세대 그래픽처리장치(GPU)인 '베라 루빈'에 탑재되는 6세대 HBM4을 양산해 공급하기 시작한다.

SK하이닉스는 지난해 9월 HBM4 양산 체제를 구축한 이후 엔비디아에 대량의 유상 샘플을 공급해 왔으며 1분기 내에 양산 공급을 시작할 예정인 것으로 알려졌다.