곧 중국산 HBM3 양산…한중격차 4년서 3년으로 좁혀졌다

中, HBM3 대규모 양산 시작
삼성 HBM4 설날 직후 출하

[연합뉴스]

중국이 인공지능(AI) 반도체 핵심 부품인 고대역폭메모리(HBM) 4세대 제품 HBM3의 대규모 양산을 올해 시작한다. HBM 추격전의 서막인 셈이다.

한국 반도체 기업들도 중국의 기술 추격을 따돌리기 위해 보폭을 넓히고 있다. 삼성전자는 이달 말부터 세계 최초로 엔비디아 납품용 HBM4 양산에 돌입한다.

8일 반도체 업계에 따르면 중국 1위 D램 기업 창신메모리(CXMT)는 올해 D램 생산능력을 월간 웨이퍼 30만장으로 확장할 예정이다. 이 가운데 20%인 6만장 정도를 HBM3 생산에 투입한다. 한국 기업들은 2023년 HBM3 양산을 시작했다. 한국과 중국 간 격차가 HBM3 이전 세대에서 4년이었으나 HBM3에서는 3년으로 좁혀진 것이다. 삼성전자와 SK하이닉스의 HBM용 D램 웨이퍼 투입량은 각각 15만장 내외로 추정된다.

HBM은 기술 격차가 1년 정도로 좁혀진 낸드플래시 메모리, 2년 정도로 추정되는 D램에 비하면 중국 반도체와 기술 격차가 뚜렷했던 분야다. 하지만 중국이 국가 차원에서 AI 반도체와 HBM 개발에 나서면서 격차를 좁히는 모습이다.

업계 관계자는 “중국에서 AI 반도체 개발을 주도하는 화웨이가 CXMT와 함께 HBM 개발에 나서고 있다”며 “낮은 수율에도 불구하고 양산에 들어갈 것으로 예상된다”고 전했다.

이처럼 기술 격차가 줄어들면서 미국 테크기업들도 중국 메모리 반도체 사용을 진지하게 검토하고 있다. 메모리 물량을 구하기가 어려워지자 그동안 사용하지 않았던 중국 기업의 메모리 반도체 탑재를 검토하고 있는 것이다.

중국 정보기술(IT) 매체 콰이커지와 닛케이 아시아 등에 따르면 HP와 델을 비롯해 에이서, 에이수스 등 PC 업체들이 CXMT의 D램 사용을 검토 중이다. 이는 메모리 반도체 부족에 따른 현상이지만 공급이 충분해진 이후 중국산으로 갈아탈 수도 있다는 우려가 커지고 있다.

업계에 따르면 삼성전자는 엔비디아에 공급하는 6세대 제품인 HBM4를 세계 최초로 양산해 출하할 예정이다. 양산 출하 시기는 이르면 이달 셋째주로 결정한 것으로 알려졌다. 삼성전자는 엔비디아의 품질 테스트를 통과해 구매주문(PO)을 받았다. SK하이닉스는 엔비디아에 유상 샘플을 공급 중이며 1분기 내에 양산 공급을 시작할 예정이다.