[단독] 삼성, HBM4용 D램 '올인'…생산능력 170% 키운다

반도체 INSIGHT
평택 4공장 증설 본격 착수
월 12만장 늘려…AI수요 대응

삼성전자가 올해 경기 평택 4공장(P4)을 중심으로 6세대 고대역폭메모리(HBM4)에 들어가는 10나노미터(㎚·1㎚=10억분의 1m) 6세대(1c) D램 생산량을 현재보다 약 170% 늘린다. HBM4 기술 경쟁력이 가파른 회복세를 보이는 데다 인공지능(AI) 관련 빅테크의 D램 수요가 갈수록 늘어나 적극적인 설비 투자를 계획하고 있다는 분석이 나온다. 

5일 업계에 따르면 삼성전자는 최신 반도체 공장인 평택 P4에 내년 1분기까지 월 10만~12만 장의 D램 웨이퍼를 생산할 수 있는 제조 설비를 새롭게 구축하겠다는 전략을 세웠다. 라인은 HBM4에 쓰이는 1c D램 제조 장비로 100% 채워진다. 현재 삼성전자의 1c D램 생산 능력은 웨이퍼 투입량 기준 월 7만 장 수준이다. 1c D램 생산량이 171.4% 늘어나는 것이다.

HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 쌓아서 만든 메모리 반도체다. 단일 D램보다 속도가 빠르고 용량이 커 복잡한 연산을 하는 AI 서버의 핵심 부품으로 떠올랐다. 삼성전자는 최첨단 1c D램 12개를 수직으로 쌓아 HBM4를 제조한다. 이렇게 생산된 HBM4는 엔비디아, AMD 등이 만드는 AI 가속기에 들어간다.

지난달 엔비디아의 ‘HBM4 퀄(승인) 테스트’를 통과한 삼성전자는 양산 제품을 출하하기 위해 1c D램의 생산 능력을 빠르게 확대해나갈 계획이다. 삼성전자 관계자는 “올해 설비 투자를 상당히 공격적으로 할 것”이라고 말했다.

강해령 기자 hr.kang@hankyung.com