삼성 반도체 판 뒤집을까…"HBM4 퀄 완료 단계, 다음 달부터 양산 출하" [종합]

HBM4, 재설계 없이 샘플 공급 등 진행해와
1c 나노 D램 적용, 베이스 다이 4나노 공정
고객사 요청에 따라 다음달부터 양산 출하
HBM4E, 커스텀 HBM 차세대 제품도 준비

삼성전자가 연결 기준 매출 93조8000억원, 영업이익 20조1000억원의 지난해 4분기 실적을 발표한 29일 오전 서울 서초구 삼성전자 서초사옥 앞에 깃발이 휘날리고 있다. 삼성전자의 이번 영업이익은 분기 사상 역대 최고 실적이다. 뉴시스

[파이낸셜뉴스] 삼성전자가 "고객사 요청에 따라 6세대 고대역폭메모리(HBM)4 양산을 진행 중으로, 2월부터 제품을 출하할 계획"이라고 밝혔다. 주요 고객사(엔비디아) 퀄(품질 테스트)도 완료 단계로, "고객들의 성능에 대한 요구 수준이 상향 조정됐음에도 재설계 없이 진행해 왔다"고 자신했다. 과거 HBM 투자 적기를 놓치며 메모리 시장 주도권을 경쟁사에 내준 경험을 되풀이하지 않기 위해, 이번에는 근원 기술력을 바탕으로 시장 요구에 선제 대응한 것으로 풀이된다. 특히 이번 실적 발표에서는 6세대 HBM을 넘어, 다음 세대인 HBM4E(7세대)의 구체적인 샘플링 계획까지 밝히며, 'HBM 초격차 전략'에 속도를 낼 것이란 전망이 나온다.

"반도체 고객들, 삼성 돌아왔다 평가해"

박순철 삼성전자 최고재무책임자(CFO·부사장)는 29일 진행된 지난해 4·4분기 실적 컨퍼런스콜에서 "반도체(DS)부문에서 고대역폭메모리(HBM)4, 그래픽D램(GDDR)7 등 글로벌 경쟁력을 갖춘 제품을 개발해 고객들이 '삼성이 돌아왔다'는 평가를 주고 있다"고 설명했다.

특히 한때 판단 착오로 실기했던 HBM 영역에서 기술력을 회복했다는 평가가 나온다. 삼성전자는 컨퍼런스 콜에서 HBM4 관련 "개발 착수 단계에서부터 지금까지 고객들의 성능에 대한 요구 수준이 상향 조정됐음에도 재설계 없이 진행해 왔다"고 강조했다. 이는 최근 엔비디아 등 고객사가 최근 인공지능(AI) 가속기 성능을 높이기 위해 주요 메모리사들에게 HBM4 동작 속도를 높여달라고 요청했지만, 삼성전자는 재설계 없이 검증을 통과했다는 의미로 해석된다. 실제 삼성전자는 경쟁사보다 앞선 1c D램을 HBM4에 적용했고, HBM4의 베이스 다이(밑 부분)는 자체 4나노 파운드리 공정으로 만들고 있다.

삼성전자 측은 "우리 HBM4가 고객들로부터 차별화된 성능 경쟁력을 확보했다는 피드백을 받고 있다. 피드백을 바탕으로 정상적으로 이미 HBM4 제품을 양산 투입해 생산을 진행 중이고, 주요 고객사 요청에 따라 2월부터 최상위 속도인 11.7Gbps(기가비트시) 제품을 포함한 HBM4 물량의 양산 출하가 예정돼 있다"고 말했다.

메모리 기술 경쟁력 회복에 실적도 큰 폭으로 뛰었다. 삼성전자는 지난해 4·4분기 연결 매출 93조8000억원, 영업이익 20조1000억원을 기록했다고 이날 밝혔다. 국내 기업 가운데 단일 분기 영업이익이 20조 원을 넘긴 것은 삼성전자가 처음이다. 이중 DS 부문 매출은 44조원, 영업이익 16조4000억원을 기록해 실적을 견인했다.

올해 전망도 밝다. 김재준 메모리사업부 부사장은 "기존 준비된 생산능력에 대해서 고객들로부터 전량 구매주문(PO) 확보를 완료했다"며 "올해 HBM 매출은 전년 대비 3배 이상 대폭 개선될 것"이라고 전했다. 이어 "주요 고객사들의 올해 HBM 수요가 당사의 공급 규모를 넘어서고 있다"며 "고객사들은 2027년과 그 이후 물량도 공급 협의를 조기에 확정하길 희망하고 있다"고 덧붙였다.

HBM4E, 커스텀 HBM4도 준비 중

삼성전자는 HBM4 이후 제품인 HBM4E나 커스텀 HBM 등 차세대 제품 개발에도 집중한다. 회사 측은 "HBM4E의 경우 올해 중반 스탠다드 제품으로 먼저 고객사 샘플링 예정이고, HBM4 코어 다이 기반의 커스텀 HBM 제품들도 하반기 고객 일정에 맞춰서 과제별로 웨이퍼 초도 투입을 전개할 계획"이라고 전했다. 이어 "HBM4E와 커스텀 HBM에서도 이미 확보된 1c 나노 공정의 안정성을 기반으로 기술 리더십을 지속 유지해 나가겠다"고 강조했다.

향후 AI 데이터센터 확대가 지속되는 등 메모리 시황이 좋을 것으로 예상되면서, 올해 메모리 설비투자는 전년 대비 상당 수준 늘어날 전망이다. 삼성전자는 "AI 수요 강세 장기화 가능성에 대비하는 차원에서 신규 공장에 대한 투자를 선행해 클린룸을 확보해 두고 이후 수요 추이를 살피며 증산이 필요한 시점에 설비 투자를 빠르게 실행하는 방식으로 투자를 운영할 예정"이라고 말했다.

한편, 파운드리, 시스템LSI 등 삼성 반도체의 '아픈 손가락' 시스템 반도체는 실적 회복까지는 아직 시간이 걸릴 것으로 예측된다. 다만 선단 기술력 확충 및 고객사 확보에 총력을 다한다는 계획이다. 삼성전자는 "2나노 공정 2세대는 하반기 양산 목표로 수율 및 성능 목표 달성하는 등 개발 순항 중"이라며 "현재 주요 고객사들과 제품 설계를 위한 소비전력·성능·면적(PPA) 평가 등 양산 전 단계 기술 검증을 진행 중"이라고 밝혔다. 이어 "AI 및 고성능컴퓨팅(HPC)을 중심으로 올해 전년 대비 130% 늘어난 2나노 수주 확보를 예상하고 있다"고 전했다. 1.4나노 공정은 2029년 양산을 목표로 개발 중이다. 2027년 하반기에는 공정설계키트(PDK) 버전 1.0을 고객사에 배포해 고객 설계 착수 및 조기 생태계 구축을 본격화한다.

시스템LSI사업부는 신규 플래그십 SoC와 2억화소 이미지센서를 통해 고객의 차별화된 니즈를 충족시킴으로써 플래그십 및 프리미엄엄형 제품 공급을 확대해 나갈 계획이다.

soup@fnnews.com 임수빈 기자