삼성, 마이크론 제치고 HBM 2위 탈환···D램 1위 SK와 1%포인트 차

3분기 HBM 점유율 22% 기록
SK하이닉스와 D램 격차 1%P
HBM3E 효과로 실적 반등 성공

[서울경제]

삼성전자(005930)가 올 3분기 고대역폭메모리(HBM) 시장에서 마이크론을 밀어내고 2위 자리를 되찾았다. 올 1~2분기 마이크론에 밀려 3위에 머물렀다가 HBM3E(5세대) 공급 확대로 실적이 회복세를 보이면서다. D램 시장에서도 선두 SK하이닉스(000660)를 턱밑까지 추격했다.

19일 시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 삼성전자의 3분기 전 세계 HBM 시장 점유율(매출 기준)은 22%로 집계됐다. 이는 전 분기 15% 대비 7%포인트 급등한 수치다. 같은 기간 마이크론은 21%를 기록하며 삼성전자에 2위 자리를 내줬다.

SK하이닉스는 57%의 점유율로 1위 자리를 수성했다. 여전히 과반 이상의 시장을 장악하고 있지만 전 분기 64%와 비교하면 지배력이 다소 약화됐다. 삼성전자는 중국 수출 감소라는 악재를 딛고 3분기부터 HBM3E 제품 공급을 본격화하며 반등의 발판을 마련했다는 평가다.

전체 D램 시장에서도 삼성전자의 추격세가 매섭다. 3분기 매출 기준 D램 점유율은 SK하이닉스가 34%로 1위를 지켰고 삼성전자가 33%로 바짝 뒤를 쫓고 있다. 양사의 격차는 불과 1%포인트다. SK하이닉스는 올 1분기 사상 처음으로 삼성전자를 제치고 D램 매출 1위에 오르는 기염을 토했다. 1992년 이후 33년 동안 ‘반도체 제왕’ 자리를 지켜온 삼성전자가 2위로 내려앉은 것은 반도체 역사상 이례적인 사건이었다. 삼성전자는 2분기 32%에서 3분기 33%로 점유율을 끌어올리며 1위 탈환을 목전에 뒀다. 마이크론은 26%의 점유율로 3위를 기록했다.

이번 분기 D램 시장은 기록적인 가격 상승에 공급 물량까지 늘며 전 분기 대비 26% 성장했다. 메모리 3사가 구형(레거시) D램 생산을 줄이면서 공급 부족이 발생했고 이는 가격 상승으로 이어졌다.

업계는 내년 HBM4 시장 선점을 위한 경쟁이 더욱 가속화될 것으로 내다본다. 삼성전자는 하반기 HBM3E 생산 능력을 확충하고 차세대 제품 개발에 속도를 내고 있다. SK하이닉스는 HBM 선두 지키기에 총력을 기울일 전망이다.

서종갑 기자 gap@sedaily.com