삼성전자 HBM4 ‘내부 품질검증’ 마쳐···내년 초 엔비디아 퀄 통과 기대

2일 PRA 통과 개발 사실상 마무리
1c D램·4나노 파운드리 기술 집약
내년 초 최종 품질 검증 통과 전망

10월28일 경북 경주 엑스포공원 에어돔에서 열린 'K-테크 쇼케이스' 삼성 부스에서 관계자가 6세대 고대역폭 메모리인 HBM4와 그래픽D램 GDDR7을 소개하고 있다. 연합뉴스

[서울경제]

삼성전자(005930)가 6세대 고대역폭메모리(HBM4)의 내부 품질 검증을 마치고 본격적인 양산 채비를 끝냈다. 제품 개발 단계를 넘어 즉각적인 생산이 가능한 기술적 안정성을 확보한 셈이다. 2026년 초 고객사 최종 승인을 목표로 차세대 AI 메모리 시장 선점에 나설 계획이다.

3일 반도체 업계에 따르면 삼성전자는 2일 HBM4 생산준비승인(PRA)을 마쳤다. PRA는 제품 출하를 앞두고 진행하는 사내 품질 평가의 마지막 관문이다. 이 단계 통과는 수율과 성능이 양산 기준을 충족했음을 의미한다.

기술적 완성도도 한층 높였다. 삼성전자는 10나노미터급 6세대(1c) D램 코어 다이에 4나노 파운드리 공정을 적용한 로직 다이를 결합했다. 데이터 처리 속도는 초당 11기가비트(Gb) 이상을 구현해 경쟁 우위를 확보했다는 평가다.

삼성전자는 현재 엔비디아와 구글 등 주요 빅테크 기업에 샘플을 제공하고 실사 작업을 진행 중이다. 업계는 삼성전자가 2026년 초 최종 품질 검증(퀄 테스트)을 무난히 통과할 것으로 본다. 삼성전자는 평택 P4 라인을 중심으로 생산능력을 확대해 향후 급증할 시장 수요에 대응할 방침이다.

서종갑 기자 gap@sedaily.com