삼성전자, 초저전력 낸드 기술 네이처 게재…최대 96% 전력소모 절감
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[논문에 참여한 삼성전자 SAIT 연구진 (사진=삼성전자 반도체 뉴스룸)]
삼성전자가 기존 낸드플래시 대비 전력 소모를 최대 96% 절감할 수 있는 원천 기술을 세계적 학술지 '네이처'를 통해 발표했습니다.
삼성전자는 오늘(27일) 자사 뉴스룸을 통해 SAIT(옛 삼성종합기술원)와 반도체연구소 소속 연구진 34명이 공동 저자로 참여한 '저전력 낸드플래시 메모리용 강유전체 트랜지스터'(Ferroelectric transistors for low-power NAND flash memory) 논문이 네이처에 게재됐다고 밝혔습니다.
이번 연구는 강유전체를 활용해 기존 대비 전력 소모를 최대 96% 절감할 수 있는 핵심 메커니즘을 세계 최초로 규명한 원천 기술에 대한 내용을 담고 있습니다.
기존 낸드플래시는 저장 용량을 늘리려면 읽기·쓰기 전력 소모가 함께 증가하는 한계가 있었습니다.
삼성전자 SAIT 연구진은 산화물 반도체의 고유 특성을 강유전체 기반 낸드플래시와 융합해 이러한 한계를 넘어설 실마리를 찾았습니다. 이에 기존 대비 셀 스트링(Cell String) 동작에서 전력 소모를 최대 96% 절감할 수 있는 가능성을 제시했습니다.
현존 최고 수준인 셀당 5비트(bit)의 고용량을 확보하며 전력 소모를 기존 대비 낮출 수 있는 길이 열린 셈입니다.
특히 최근 인공지능(AI)용 SSD가 고용량·고집적으로 발전하며 전력 효율성에 대한 중요성이 높아지는 상황 속 이번 기술은 차세대 낸드의 방향성을 제시했다는 점에서 의미가 있다는 관측입니다.
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