한미반도체, 차세대 HBM 대응 "내년 '와이드 TC본더' 공개"
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한미반도체가 차세대 '고대역폭메모리(HBM)' 생산을 위한 '와이드 TC본더'(사진)를 내년 하반기 중 선보인다는 계획을 발표했다.
한미반도체는 향후 와이드 TC본더를 차세대 HBM 생산을 위해 메모리반도체 제조사에 공급할 예정이라고 4일 밝혔다.
곽동신 한미반도체 회장은 "HBM 기술 변화에 발맞춰 신기술을 적용한 와이드 TC본더 장비를 선도적으로 공급할 계획"이라며 "국내외 메모리반도체 업체들이 차세대 HBM 생산 경쟁력을 강화하는데 기여할 것"이라고 말했다.
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한미반도체는 향후 와이드 TC본더를 차세대 HBM 생산을 위해 메모리반도체 제조사에 공급할 예정이라고 4일 밝혔다. TC본더는 인공지능(AI) 반도체용 HBM을 제조하는 데 필요한 핵심 장비다. HBM은 D램 메모리반도체를 여러 개 쌓아 올리는 방식으로 만드는데, TC본더는 각 D램 다이에 정밀한 열과 압력을 가해 접합하는 공정에 사용된다.
특히 국내외 유수 메모리반도체 업체들은 차세대 HBM 제품에 D램 다이 크기를 확대한 '와이드 HBM' 개발을 추진 중이다.
HBM이 차세대 제품으로 진화할수록 더 많은 메모리 용량과 빠른 데이터 처리 속도가 요구되는데, 업계는 20단 이상 고적층 대신 HBM 다이 면적 자체를 확대하는 방향을 추진 중이다.
HBM 다이 면적이 넓어지면 실리콘관통전극(TSV) 수와 입출력 인터페이스(I/O) 수를 안정적으로 늘릴 수 있다. 또한 D램 다이와 인터포저를 연결하는 '마이크로 범프' 수 역시 증가한다. 이를 통해 메모리 용량과 대역폭을 확보하면서도 고적층 방식 대비 열 관리가 용이하고 전력 효율도 개선할 수 있다.
곽동신 한미반도체 회장은 "HBM 기술 변화에 발맞춰 신기술을 적용한 와이드 TC본더 장비를 선도적으로 공급할 계획"이라며 "국내외 메모리반도체 업체들이 차세대 HBM 생산 경쟁력을 강화하는데 기여할 것"이라고 말했다. 이어 "와이드 TC본더 도입에 따라 차세대 HBM 고적층 생산을 위해 검토했던 하이브리드 본더 도입 시기는 늦어질 것"이라고 덧붙였다.
butter@fnnews.com 강경래 기자
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