HBM4 실물 첫 공개…성능·속도 삼성·SK 비슷, 적층은 SK 우세

삼성전자·SK하이닉스, 제27회 반도체 대전서 나란히 첫 선
6세대 고대역폭메모리 대결 본격화
적층 삼성 12단 vs. SK 16단
입출력 속도, 삼성 최대 11Gbps vs. SK JEDEC 표준 이상

삼성전자와 SK하이닉스는 22일 서울 강남구 코엑스에서 열린 제27회 반도체 대전(SEDEX 2025)에서 HBM4의 실물을 나란히 공개했다. 박지영 기자.

[헤럴드경제=박지영 기자] 본격적인 ‘HBM 대첩’의 서막이 올랐다. 차세대 고대역폭메모리(HBM) 시장의 주도권을 가를 6세대 ‘HBM4’의 실물이 처음 공개된 것이다.

삼성전자와 SK하이닉스는 22일 서울 강남구 코엑스에서 열린 제27회 반도체 대전(SEDEX 2025)에서 HBM4의 실물을 나란히 공개했다. 양사는 차세대 인공지능(AI)용 메모리 시대를 선도하기 위한 기술 경쟁에 정면으로 맞붙었다.

이번에 공개된 양사의 HBM4는 시스템 전체의 성능과 효율을 결정짓는 입출력(I/O) 속도에서 비슷한 성능을 가진 것으로 확인됐다. 삼성전자는 최대 11Gbps 주파수를 구현, SK하이닉스는 국제반도체표준협의기구(JEDEC) 표준(8Gbps) 이상을 넘어 삼성전자와 비슷한 수준인 것으로 알려졌다.

삼성전자가 제27회 반도체 대전(SEDEX 2025)에서 공개한 HBM4 스펙. 박지영 기자.

I/O핀 수도 양사 모두 2048개로 동일해 메모리와 프로세서 간 데이터 전송 속도를 좌우하는 대역폭에서도 비슷한 스펙을 갖췄다. 삼성전자와 SK하이닉스 모두 스택당 최대 2.8TB/s의 대역폭을 구현하면서다.

다만 적층(스택) 기술에서는 SK하이닉스가 우세를 보였다. SK하이닉스는 D램 칩을 16단으로 쌓은 반면, 삼성전자는 1개의 베이스 다이(Base Die) 위에 12개의 코어 다이(Core Die)를 적층했다.

양사는 각각 전력 효율과 방열 성능을 내세워 차별화를 꾀했다. 삼성전자는 치명적 단점으로 꼽혀왔던 발열 논란을 의식한 듯 방열 성능을 앞세웠다.

SK하이닉스가 제27회 반도체 대전(SEDEX 2025)에서 공개한 HBM4 스펙. 박지영 기자.

SK하이닉스는 전작 HBM3E 대비 40% 향상된 전력 효율을 확보했다고 밝혔다. 삼성전자 역시 전력 효율을 40% 개선하는 동시에, 데이터 전송과 열 분산을 돕는 범프 수를 1.2배 늘리고 열 저항을 11% 낮춰 방열 성능을 강화했다.

22일 서울 강남구 코엑스에서 열린 ‘반도체대전(SEDEX) 2025’에 마련된 삼성전자 부스에 6세대 고대역폭 메모리인 HBM4와 HBM3E 실물이 전시돼있다. [연합]

삼성전자 또한 전작인 HBM3E 대비 40% 향상된 전력 효율을 가졌다. 특히 데이터 전송과 열 분산에 도움을 주는 범프가 이전세대보다 1.2배 늘어나고, 11% 낮은 열 저항을 갖춰 더 나은 방열 성능을 탑재했다는 설명이다.

삼성전자는 HBM3E 시장에서 SK하이닉스에 주도권을 내준 뒤, HBM4를 통해 반격에 나섰다. 특히 삼성은 5세대(1b) 공정을 적용한 SK하이닉스와 마이크론과 달리 한 세대 진화한 1c 공정을 적용해 기술 격차를 벌리겠다는 전략이다.

22일 서울 강남구 코엑스에서 열린 ‘반도체대전(SEDEX) 2025’에 마련된 SK하이닉스 부스에 6세대 고대역폭 메모리인 HBM4 실물이 전시돼있다. [연합]

시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면, 올해 2분기 HBM 시장 점유율은 출하량 기준 SK하이닉스 62%, 마이크론 21%, 삼성전자 17% 순이었다. 다만 내년 HBM4 양산이 본격화되면 삼성전자의 점유율은 30% 수준까지 확대될 것으로 전망된다.