"수십조 피해" 삼성 기술 빼돌려 중국 최초 D램 개발… 前 임직원 구속기소

삼성 기술 유출로 중국 최초 D램 개발
삼전 상무 출신 中 회사 개발실장으로
4~6년간 15억~30억 고액 급여 받아

서울 서초구 삼성전자 서초사옥에서 깃발이 바람에 휘날리고 있다. 뉴스1

국가핵심기술을 중국으로 빼돌린 전직 삼성전자 임직원들이 재판에 넘겨졌다. 이들이 불법 유출한 기술로 중국 반도체 기업은 자국 최초로 D램을 개발할 수 있게 됐다.

서울중앙지검 정보기술범죄수사부(부장 김윤용)는 1일 삼성전자에서 중국 창신메모리반도체(CXMT)로 이직한 양모씨와 신모씨, 권모씨를 산업기술보호법, 부정경쟁방지법 위반 등 혐의로 구속기소했다. 삼성전자에서 상무를 지낸 양씨는 CXMT 2기 개발실장이다. 신씨와 권씨 역시 삼성전자 연구원 출신으로 CXMT에서 개발팀장과 수석으로 일했다.

검찰 수사 결과, 이들은 삼성전자가 1조6,000억 원 상당을 들여 세계 최초로 만든 18나노 D램 최신 공정기술을 유출해 CXMT의 D램 개발·양산을 이끌었다. D램 제조를 위한 수백 단계 공정정보가 그대로 기재된 삼성전자의 핵심정보가 유출됐다. 이들은 CXMT로부터 삼성전자 연봉의 3~5배를 약속받고, 4~6년간 15억 원에서 30억 원에 이르는 고액 급여를 받았다.

앞서 검찰은 국가핵심기술 유출 정황을 포착하고 직접 수사에 착수했다. 지난해 1월 삼성전자 부장 출신인 CXMT 1기 개발실장 김모씨를, 올해 5월 삼성전자 연구원 출신 전모씨를 국가핵심기술 부정취득 혐의로 구속기소하고 추가 수사를 통해 양씨 등의 범행을 밝혀낼 수 있었다. 김씨는 1심에서 징역 7년(2심 징역 6년)을 선고받았는데, 기술유출 사건 역대 최고 형량이다.

CXMT는 중국 지방정부가 2조6,000억 원을 투자해 첫 설립한 D램 반도체 회사다. CXMT는 설립 직후부터 삼성전자 출신인 김씨, 전씨를 영입해 삼성전자의 핵심기술을 확보하고 핵심인력을 끌어들여 D램 개발 계획을 세운 것으로 파악됐다. 김씨는 삼성전자에서 퇴직한 박모씨를 통해 자료를 얻었는데, 박씨는 공정정보를 노트에 베껴 적어 유출한 것으로 조사됐다. 박씨는 현재 인터폴 적색수배 중이다.

양씨 등은 2기 개발팀으로, 초기에 가담한 1기 개발팀 김씨 등으로부터 유출된 공정자료를 전달받고 실제 삼성전자 제품을 분해·검증한 뒤 제조 테스트를 진행한 것으로 드러났다. 이들의 불법 유출로 CXMT는 2023년 중국 최초이자 세계에서 4번째로 18나노 D램 양산에 성공했다.

검찰은 삼성전자의 피해 규모가 막대한 것으로 추정하고 있다. 지난해 삼성전자 추정 매출 감소액만 5조 원에 이르고, 향후 최소 수십조 원의 피해가 이어질 것으로 예상된다. 검찰 관계자는 "유사 이래 최대 기술유출 사건"이라며 "앞으로도 피해기업과 국가경제를 위협하는 기술유출범죄에 엄정 대응하겠다"고 강조했다.

이유지 기자 maintain@hankookilbo.com