[단독] ‘4조 반도체 기술 中 유출’ 혐의 삼성·하이닉스 전직 임원, 보석으로 풀려나

삼성전자가 4조원을 들여 독자 개발한 D램 공정 기술을 중국에 유출한 혐의로 기소된 삼성전자·하이닉스반도체(현 SK하이닉스) 전직 임원 최진석씨가 1심 재판을 받다가 보석 석방된 것으로 29일 전해졌다.

삼성전자 평택캠퍼스 전경./뉴스1

서울중앙지법 형사24부(재판장 이영선 부장판사)는 지난 15일 최씨의 보석을 허가했다. 최씨는 산업 기술의 유출 방지 및 보호에 관한 법률 위반 등 혐의로 작년 9월 구속 기소된 데 이어 올해 3월 추가 기소됐다. 형사소송법상 1심 재판에서 구속 기한은 6개월이다. 구속 기한이 만료되기 전 재판부가 직권으로 보석을 허가한 것이다.

또 최씨와 함께 구속 기소된 삼성전자 수석연구원 출신 오모씨는 지난 8월 28일 보석으로 풀려난 것으로 전해졌다. 오씨가 같은 달 21일 보석을 신청했고, 재판부가 이를 인용한 것이다.

두 사람의 보석 조건은 보증금 1억원, 주거지 제한 등이다. 또 재판부 소환 시 반드시 정해진 일시, 장소에 출석해야 하고, 출국 시 법원의 허가를 받아야 하며, 도망 또는 증거를 인멸하는 행위를 하면 안 된다. 아울러 공범 등 사건 관련자들과 접촉하는 것을 금지하고, 실시간 위치를 추적할 수 있는 전자 장치도 부착하도록 했다.

앞서 삼성전자·하이닉스반도체 임원을 지낸 최씨는 오씨 등과 함께 삼성전자가 독자 개발한 D램 공정 기술을 중국에 유출한 혐의로 구속 기소됐다.

최씨 등이 유출한 D램 반도체 공정 기술은 삼성전자가 약 4조원을 투입해 개발한 국가핵심기술로 알려졌다. 검찰에 따르면 최씨는 범행 대가로 중국 반도체 회사 지분 860억원 상당을 받고, 보수 명목으로 18억원의 범죄수익을 취득한 것으로 조사됐다. 최씨가 오씨와 함께 운영하던 중국 반도체 제조업체 청두가오전(CHJS) 법인도 같은 혐의로 재판에 넘겨졌다.

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