DB하이텍, 차세대 전력반도체 개발 마무리…내달 시험 생산

DB하이텍은 차세대 전력반도체인 '650V 전계모드 갈륨나이트라이드 고전자이동도 트랜지스터'(E-Mode GaN HEMT)공정 개발을 마무리 짓고, 시험생산용 웨이퍼를 10월 말 제공한다고 11일 밝혔다.

길화갈륨(GaN) 소재의 반도체는 기존 실리콘(Si) 기반의 반도체에 비해 고전압, 고주파, 고온에 강하며 전력 효율이 높아 전기차, 인공지능(AI) 등 미래 시장에서 차세대 전력반도체로 평가받고 있다.

이번에 회사가 개발한 650V E-Mode GaN HEMT는 그중에서도 고속 스위칭과 안정성이 특장점이어서 전기차 충전기, 데이터센터의 전력변환기, 5G 통신 분야 등에서 활용도가 높은 제품이다. 회사는 지난 2022년부터 GaN, SiC 등 화합물반도체를 차세대 사업으로 정하고 공정 개발을 진행해 왔다.

DB하이텍은 이번 공정 개발을 시작으로 집적회로(IC) 형태로 설계할 수 있는 200V GaN 공정과 650V GaN 공정을 2026년 말까지 순차적으로 개발할 계획이다. 또 현재 충북 음성에 있는 상우캠퍼스에 클린룸 확장도 추진한다.

회사측은 클린룸 확장을 통해 8인치 웨이퍼 월 3만5000장 가량을 증설할 수 있다고 설명했다.

증설이 완료되면 DB하이텍의 생산능력(캐파)은 현재 15만4000장 대비 23% 증가한 19만장이 될 전망이다.

이상현 기자 ishsy@dt.co.kr

DB하이텍 부천캠퍼스 외경. DB하이텍 제공