SK하이닉스, 하이 NA EUV 첫 도입…“차세대 D램 개발 가속”

SK하이닉스와 ASML코리아 관계자들이 3일 경기 이천 M16 공장에서 열린 '하이 NA EUV' 장비 반입 행사에서 기념 촬영을 하고 있다. (사진 왼쪽 다섯번째부터) 김병찬 ASML코리아 대표, 김성한 SK하이닉스 구매 담당 부사장, 차선용 SK하이닉스 미래기술연구원장 부사장, 이병기 SK하이닉스 제조기술 담당 부사장. (사진=SK하이닉스)

SK하이닉스가 반도체 초미세 회로 구현에 필수적인 '하이 뉴매리컬애퍼처(NA) 극자외선(EUV)' 장비를 도입했다. 하이 NA EUV는 그동안 인텔·TSMC·삼성전자 등이 고성능 시스템 반도체 칩 구현에 주로 활용한 장비다. SK하이닉스가 메모리 접목을 시도해 주목된다.

SK하이닉스는 3일 경기 이천에서 하이 NA EUV 장비 반입식을 가졌다고 밝혔다. 네덜란드 ASML이 만든 'EXE:5200B'를 D램 생산 공장인 M16 팹에 들였다.

반도체 제조에는 노광 장비가 필수다. 노광은 빛을 통해 웨이퍼에 회로를 그려 넣는 작업으로, 미세 회로를 구현할 수록 반도체 성능을 끌어 올릴 수 있다.

하이 NA EUV는 현존하는 노광 설비 중 가장 많은 회로를 촘촘히 그릴 수 있는 장비다. 기존 EUV 장비보다 광학 기술이 40% 향상돼 전보다 1.7배 더 정밀한 회로를 형성하고, 2.9배 높은 집적도를 구현할 수 있다. 하이 NA EUV는 가장 뛰어난 노광장비인 데다, ASML이 전 세계 유일하게 공급하기 때문에 장비 확보가 곧 경쟁력으로 직결된다.

전 세계 반도체 업계에서 하이 NA EUV를 구축한 곳은 인텔, TSMC, 삼성전자 등이 꼽힌다. 인텔과 TSMC는 CPU나 AP 같은 시스템 반도체에, 삼성전자는 시스템 반도체 및 메모리에 활용하고 있다. SK하이닉스는 순수 메모리만을 위해 고가의 하이 NA EUV 장비를 도입해 눈길을 끈다. 하이 NA EUV는 대당 가격이 5000억원을 넘는다. 차세대 메모리 개발을 위한 의지가 엿보인다.

반도체 업계에 따르면 시스템 반도체는 2나노미터(㎚) 이하, 메모리의 경우 10㎚ 이하 회로 구현에 하이 NA EUV가 필요한 것으로 알려졌다. SK하이닉스는 차세대 D램 개발및 양산에 장비를 활용할 것으로 예상된다. 회사는 2021년 14㎚급인 1a(4세대) D램에 EUV 기술을 최초 적용한 이후 도입을 지속 확대해 왔다. 현재 1b D램을 생산하고 있으며 1c 양산 투자도 시작했다.

인텔과 삼성전자가 도입한 하이 NA EUV는 'EXE:5000'라는 모델이다. SK하이닉스가 도입한 장비는 후속 모델이다. 하이 NA EUV를 보유한 기업이 전 세계 손에 꼽힐 정도인 데, 국내에는 삼성전자와 SK하이닉스가 모두 보유하게 됐다.

차선용 SK하이닉스 미래기술연구원장 부사장은 “급성장하는 인공지능(AI)과 차세대 컴퓨팅 시장이 요구하는 최첨단 메모리를 가장 앞선 기술로 개발해 AI 메모리 시장을 선도하겠다”고 말했다.

이호길 기자 eagles@etnews.com