SK하이닉스, 업계 첫 양산용 ‘High NA EUV’ 도입

이천 M16에 반입…미세공정 혁신
기존보다 정밀도·집적도 2.9배 ↑

SK하이닉스는 메모리 업계 최초로 양산용 ‘High NA EUV’ 장비를 경기도 이천 M16팹(Fab)에 반입하고 기념 행사를 진행했다고 3일 밝혔다.

High NA EUV(High Numerical Aperture Extreme Ultraviolet Lithography)란, 기존 EUV(극자외선) 설비보다 해상도를 크게 향상시킨 차세대 노광 장비다. 현존 장비 중 가장 미세한 회로 패턴 구현이 가능해 선폭 축소 및 집적도 향상에 핵심 역할을 할 수 있다.

NA(Numerical Aperture·개구수)란, 렌즈가 빛을 얼마나 많이 모을 수 있는지를 나타내는 수치로, 값이 클수록 더 정밀한 회로 패턴 구현이 가능하다.

이번에 도입한 장비는 네덜란드 ASML의 ‘트윈스캔 EXE:5200B’로, High NA EUV 최초의 양산용 모델이다. 기존 EUV 대비 40% 향상된 광학 기술로 1.7배 더 정밀한 회로 형성이 가능하고 2.9배 높은 집적도를 구현할 수 있다.

SK하이닉스는 이번에 도입한 장비를 통해 기존 EUV 공정을 단순화하고 차세대 메모리 개발 속도를 높여 제품 성능과 원가 경쟁력을 동시에 확보한다는 방침이다. 이를 통해 고부가가치 메모리 시장에서의 입지를 강화하고 기술 리더십을 더욱 공고히 할 수 있을 것으로 기대했다.

SK하이닉스는 “치열한 글로벌 반도체 경쟁 환경에서 고객 수요에 부응하는 첨단 제품을 신속하게 개발하고 공급할 수 있는 기반을 마련하게 됐다”며 “파트너사와의 긴밀한 협력을 통해 글로벌 반도체 공급망의 신뢰성과 안정성을 한층 더 강화해 나가겠다”고 밝혔다. 고은결 기자