삼성전자 "HBM4 샘플 이미 출하…내년 수요에 적기 대응"

[컨콜] 하반기 HBM3E 출하량 비중 확대…1c D램 설비투자도 진행 중

(지디넷코리아=장경윤 기자)31일 삼성전자는 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "HBM4 제품은 개발을 완료해 주요 고객사에 샘플을 이미 출하했다"며 "내년 HBM4 수요가 본격 확대되는 추세에 맞춰 적기에 공급을 늘려나갈 예정"이라고 밝혔다.

삼성전자는 1c(6세대 10나노급) D램 기반의 HBM4를 개발해 왔다. SK하이닉스·마이크론 등 주요 경쟁사가 1b(5세대 10나노급) D램을 채용한 것과 달리, 한 세대 앞선 D램을 채용해 성능 경쟁력 확보를 추진하고 있다.

삼성전자 HBM3E D램 '샤인볼트' (사진=삼성전자)

삼성전자는 "당사 HBM4는 베이스다이에 선단 로직 공정을 적용하고 설계를 최적화해, HBM3E 대비 성능 및 에너지 효율을 크게 개선했다"고 설명했다.

1c D램의 생산능력 확대를 위한 설비투자도 진행 중이다. 삼성전자는 올 상반기부터 평택 및 화성캠퍼스에서 1c D램용 양산라인을 구축하고 있다. 올해만 최소 월 7~8만장 규모의 생산능력 확보가 기대된다.

한편 삼성전자는 올 하반기 HBM3E 판매 확대도 계획하고 있다.

삼성전자는 "올 2분기 HBM 출하량이 전분기 대비 30% 증가했고, 전체 HBM 수량에서 HBM3E가 차지하는 비중은 80%까지 확대됐다"며 "추가적으로 수요를 지속 확보하고 있어 올 하반기 HBM3E 판매 비중은 90%를 상회할 것"이라고 밝혔다.

장경윤 기자(jkyoon@zdnet.co.kr)