HBM4 샘플, 엔비디아로…첨단 메모리도 부활 시동

HBM, 파운드리 공정도 들어가
'종합 반도체社' 강점 극대화
하반기 본격 수주 경쟁 돌입

삼성전자의 주력인 메모리반도체 사업도 서서히 정상 궤도에 올라서고 있다. ‘최첨단 D램 및 고대역폭메모리(HBM) 재설계’ 결정으로 대표되는 전영현 디바이스솔루션(DS)부문장(부회장)의 반도체 근원 경쟁력 회복 작업이 일정 부분 성과를 낸 덕분이다. 삼성전자는 메모리와 파운드리(반도체 수탁생산) 협업이 필요한 ‘6세대 HBM’(HBM4)을 반도체 부활의 승부처로 보고 제품 개발에 총력전을 벌이고 있다.

28일 반도체업계에 따르면 삼성전자는 올 3분기 말까지 엔비디아 등 HBM 주요 고객사에 HBM4 샘플을 보내고 본격적인 수주 작업에 들어간다. HBM의 70% 이상(2025년 전망치 기준)을 가져가는 ‘큰손’ 엔비디아에는 9월께 HBM4 샘플이 들어갈 것으로 알려졌다.

HBM4는 SK하이닉스가 주도해온 HBM 시장 판도를 바꾸는 ‘게임 체인저’가 될 것으로 업계는 예상하고 있다. HBM은 두뇌 역할을 하는 ‘로직(베이스)다이’와 D램을 쌓아 만드는 ‘코어다이’로 구성된다. 현재 시장의 주력인 5세대 HBM(HBM3E)까지는 로직다이 제조를 메모리 기업이 맡았지만, HBM4부터는 파운드리 공정이 들어간다.

삼성전자는 메모리와 파운드리를 동시에 할 수 있는 ‘종합 반도체기업’의 장점을 살려 HBM4 시장에서 역전을 노린다는 구상이다. 로직다이는 파운드리사업부의 첨단 4나노미터(㎚) 공정을 활용한다. 코어다이엔 SK하이닉스 등 경쟁사보다 한 세대 앞선 10나노 6세대(D1C) D램을 투입하기로 했다. 현재 개발 중인 D1C의 품질·수율을 올리는 데 성공한 삼성전자는 경기 평택 4공장에 D1C 양산라인을 구축하기로 했다.

황정수 기자 hjs@hankyung.com