1일 업계에 따르면 삼성전자는 전날 1c D램 공정의 내부 승인 절차인 PRA(Production Readiness Approval)를 마쳤다. PRA는 제품이 대량 생산에 들어가기 전 내부적으로 생산 준비가 제대로 됐는지 판단하는 절차다.
D1c는 삼성전자의 최신 D램 공정이다. 10나노급 D램은 1x(1세대)-1y(2세대)-1z(3세대)-1a(4세대)-1b(5세대) 순으로 나아간다. 세대가 높아질수록 회로 선폭은 더 촘촘해지고 메모리 용량·성능은 함께 향상되는 구조다.
삼성전자는 2022년 12월 5세대(1b) D램을 개발한 뒤 2년 만에 6세대 개발에 성공한 것으로 전해졌다. 삼성전자는 업계 최초로 1c D램을 사용한 HBM4 제품을 올해 하반기 양산을 목표로 개발 중이다. 올해 하반기 중 HBM4 샘플을 제공할 가능성도이 커지면서 엔비디아 퀄(품질) 테스트 통과 여부에 관심이 쏠린다.
SK하이닉스(000660)와 마이크론은 1b D램을 활용한 HBM4를 개발해 각각 지난 3월, 6월 주요 고객사에 샘플을 공급했다.
