삼성전자, D1c 양산 이관…HBM4 제품화 속도

삼성전자가 D1c D램 개발을 마쳤다. 하반기 양산 목표인 6세대 고대역폭메모리(HBM) 'HBM4'의 기반이 되는 제품으로, 곧 대량 생산 체제를 갖출 것으로 전망된다.

30일 업계에 따르면 삼성전자는 D1c D램 양산 이관을 위한 승인 작업인 'PRA(Production Readiness Approval)'를 완료했다. 반도체는 설계 등 개발 과정이 완료되면 후 목표 성능과 일정 수준의 수율에 도달하면 양산 이관된다.

D1c D램은 10나노 초반대 제품이다. 삼성전자는 지난해 전영현 부회장이 DS부문장에 취임한 이후 D램 경쟁력을 점검, 전반적인 설계 개선에 착수했다. D1c D램도 이러한 과정을 거쳐 최근 목표한 성능과 의미있는 수율을 확보한 것으로 전해졌다. 수율 개선을 위해 '건식 포토레지스트(PR)' 등 신소재 및 기술도 적용한 것으로 파악된다.

삼성전자는 전(前) 세대 제품 비중을 줄이면서 D1c 생산 비중을 점진적으로 확대, 안정적 양산 수율을 확보할 것으로 예상된다. 일반적으로 양산 이관 시 초기 생산 수율은 50% 안팎으로 80~90%의 안정적 수율 달성까지는 6개월가량이 소요된다.

이에 따라 삼성전자는 D1c D램 생산을 이한 전환 투자도 추진할 예정이다. 현재 소재·부품·장비(소부장) 협력사와 D1c D램 양산 라인 투자를 위한 협의에 들어간 것으로 알려졌다.

삼성전자가 D1c 양산에 들어가면서 하반기 HBM4 첫 양산도 차질없이 진행될 지 주목된다. HBM은 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 극대화한 제품이다. SK하이닉스는 D1b D램을 HBM4에 적용할 예정이나, 삼성전자는 D1c D램으로 반전을 꾀한다는 전략이다.

최근 삼성전자는 HBM3E 12단을 AMD에 공급한 데 이어 엔비디아에도 공급을 타진하고 있다. 맞춤형 제품인 HBM4도 복수의 고객사와 협력하고 있다. 삼성전자는 HBM4가 내년부터 매출에 기여할 것으로 예측했다.

삼성전자 평택 사업장(사진=삼성전자)

박진형 기자 jin@etnews.com