[팩토리팝콘] D램설계 난제 푼 삼성전자 메모리시장 주도권 되찾나

중앙배선층 설계 변경
적은 면적에도 발열↓
D램 생산수율 60% 쑥
6세대 D램부터 적용
HBM4에도 사용 전망

◆ 팩토리 팝콘 ◆

삼성전자가 그동안 발목을 잡았던 'D램' 설계상의 난제를 해결한 것으로 알려졌다. 이로써 삼성전자는 D램의 성능과 수율을 동시에 끌어올릴 수 있게 됐다. 이를 바탕으로 삼성전자가 메모리 반도체 시장에서 다시 주도권을 되찾을 수 있을지 주목된다.

23일 복수의 반도체업계 관계자들에 따르면 삼성전자는 최근 D램을 구성하는 핵심 요소 가운데 하나인 '중앙 배선층' 설계를 바꾸는 데 성공했다.

중앙 배선층은 D램에서 전력과 클록·제어 신호를 주변에 위치한 셀 어레이로 고속·균일하게 분배하는 핵심 배선 구조다.

그동안 삼성전자는 이 중앙 배선층의 폭과 면적을 좁히는 데 어려움을 겪고 있었다. D램에 11나노급 공정이 적용되기 시작하는 등 공정 미세화 경쟁이 치열해지고 있다. 이럴수록 중앙 배선층 역시 배선을 더 촘촘히 깔아서 더 많은 신호가 오갈 수 있도록 해야 한다.

삼성전자는 중앙 배선층 설계를 바꾸기 위해 지난해 하반기 외부 반도체 설계 전문가들을 영입·채용했고 이들의 노하우를 활용해 이른 시간 안에 중앙 배선층 설계를 일신했다. 그 결과, 기존보다 적은 면적을 차지하면서도 발열은 적고 전력과 정보 전달은 원활한 D램 구조를 만드는 데 성공했다. 이 같은 성과를 바탕으로 삼성전자는 D램 생산 수율을 60% 이상으로 훌쩍 높이는 성과를 거뒀다.

삼성전자는 새로운 설계를 6세대 D램인 1c D램에 적용할 예정이다. 또 이렇게 생산한 D램을 이르면 하반기부터 생산할 예정인 HBM4에 사용할 전망이다.

[김동은 기자]